[發(fā)明專利]一種具有透明保護(hù)層的鈣鈦礦太陽能電池在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811270612.7 | 申請(qǐng)日: | 2018-10-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111106243A | 公開(公告)日: | 2020-05-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王萌;韓陽 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西安智盛銳芯半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/42 | 分類號(hào): | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司: | 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 劉長春 |
| 地址: | 710075 陜西省西安市*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 具有 透明 保護(hù)層 鈣鈦礦 太陽能電池 | ||
本發(fā)明涉及一種具有透明保護(hù)層的鈣鈦礦太陽能電池,包括:導(dǎo)電玻璃;空穴傳輸層,位于所述導(dǎo)電玻璃上;鈣鈦礦吸光層,位于所述空穴傳輸層上;二氧化鈦/聚硅氧烷層,位于所述鈣鈦礦吸光層上;電子傳輸層,位于所述二氧化鈦/聚硅氧烷層上;空穴阻擋層,位于所述電子傳輸層上;對(duì)電極,位于所述空穴阻擋層上。本發(fā)明實(shí)施例在鈣鈦礦吸光層上制備二氧化鈦/聚硅氧烷層,二氧化鈦/聚硅氧烷層具有良好的疏水性,可以防止鈣鈦礦膜與氧氣和水汽接觸,減緩了鈣鈦礦材料的分解,延長了鈣鈦礦太陽能電池的壽命;同時(shí),二氧化鈦/聚硅氧烷層具有較好的透光性,避免入射光被二氧化鈦/聚硅氧烷層損耗掉,使得可見光可以充分被鈣鈦礦吸光層吸收,提高鈣鈦礦太陽能電池的效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于光電技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種具有透明保護(hù)層的鈣鈦礦太陽能電池。
背景技術(shù)
近年來太陽能電池技術(shù)快速發(fā)展,而其中鈣鈦礦電池成為備受矚目的一類電池,器件效率從2009年的3.8%迅速提高到了22.7%。鈣鈦礦電池具有高轉(zhuǎn)化效率、制備簡單、材料廣泛、成本低廉等優(yōu)點(diǎn),應(yīng)用前景十分廣闊。
太陽能電池是一種利用光伏效應(yīng)將光能轉(zhuǎn)化為電能的器件。作為太陽能電池的吸光材料,鈣鈦礦材料在器件中起著吸收入射光的作用,在可見光區(qū)與近紅外區(qū)具有較強(qiáng)的吸收帶,是實(shí)現(xiàn)鈣鈦礦太陽能電池高效率的必備條件。在鈣鈦礦材料中,帶隙可通過構(gòu)成元素組分進(jìn)行調(diào)控,從而得到較為合適的吸收帶隙。鈣鈦礦電池制備成本低且可以通過簡易溶液法制備,是極具潛力的可大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)的能源材料。
但是,雖然鈣鈦礦材料易于合成并且價(jià)格相對(duì)便宜,但是鈣鈦礦材料對(duì)氧氣和濕度非常敏感,其晶體結(jié)構(gòu)會(huì)受到氧氣和濕氣破壞,從而影響太陽能電池的使用壽命,嚴(yán)重制約了鈣鈦礦太陽能電池的產(chǎn)業(yè)化。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題,本發(fā)明提供了一種具有透明保護(hù)層的鈣鈦礦太陽能電池。本發(fā)明要解決的技術(shù)問題通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種具有透明保護(hù)層的鈣鈦礦太陽能電池,包括:
導(dǎo)電玻璃;
空穴傳輸層,位于所述導(dǎo)電玻璃上;
鈣鈦礦吸光層,位于所述空穴傳輸層上;
二氧化鈦/聚硅氧烷層,位于所述鈣鈦礦吸光層上;
電子傳輸層,位于所述二氧化鈦/聚硅氧烷層上;
空穴阻擋層,位于所述電子傳輸層上;
對(duì)電極,位于所述空穴阻擋層上。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,所述空穴傳輸層的厚度為10~20nm。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,所述鈣鈦礦吸光層的厚度為100~300nm。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,所述鈣鈦礦吸光層材料為ABX3,其中,A為CH3NH3+、HC(NH2)2+、CH3(CH2)nNH3+(n=1~7)、C6H5(CH2)nNH3+(n=1~4)、Cs+中的一種或多種,B為Pb2+、Sn2+、Cu2+中的一種或多種,X為I-、Br-、Cl-中的一種或多種。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于西安智盛銳芯半導(dǎo)體科技有限公司,未經(jīng)西安智盛銳芯半導(dǎo)體科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811270612.7/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:以水為載流的原子熒光分析方法及分析裝置
- 下一篇:一種無糖湯圓的加工方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





