[發明專利]二維拓撲絕緣體及其制備方法和應用有效
| 申請號： | 201811269359.3 | 申請日： | 2018-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN109411534B | 公開（公告）日： | 2022-04-01 |
| 發明（設計）人： | 胡軍;齊燦;歐陽麗穎 | 申請（專利權）人： | 蘇州大學 |
| 主分類號： | H01L29/66 | 分類號： | H01L29/66 |
| 代理公司： | 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 殷海霞 |
| 地址： | 215000 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 二維 拓撲 絕緣體 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種二維拓撲絕緣體，其特征在于，所述二維拓撲絕緣體是以Al2O3(0001)面為襯底生長的蜂窩狀III-V族化合物單層膜；所述III-V族化合物為GaBi、InBi、TlAs、TlSb 或TlBi。
2.如權利要求1所述的二維拓撲絕緣體，其特征在于，所述單層膜是采用分子束外延法在Al2O3(0001)襯底上生長得到的。
3.根據權利要求2所述的二維拓撲絕緣體的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供Al2O3(0001)作為襯底；和
采用分子束外延法在所述襯底上外延生長蜂窩狀III-V族化合物單層膜，即得到所述二維拓撲絕緣體。
4.如權利要求3所述的二維拓撲絕緣體的制備方法，其特征在于，所述提供Al2O3(0001)作為襯底具體為：
提供Al2O3單晶基片，挑選出具有Al2O3(0001)表面的基片，清洗以去除表面的污染物，放置于分子束外延設備中作為襯底。
5.如權利要求4所述的二維拓撲絕緣體的制備方法，其特征在于，采用X射線衍射法測量所述Al2O3單晶基片，以挑選出具有Al2O3(0001)表面的基片。
6.如權利要求3所述的二維拓撲絕緣體的制備方法，其特征在于，采用單晶III-V族化合物作為外延生長的分子源。
7.一種拓撲絕緣體結構，其特征在于，包括絕緣襯底和生長于所述絕緣襯底上的蜂窩狀III-V族化合物單層膜，所述絕緣襯底為Al2O3(0001)晶面。
8.如權利要求1-2任一項 所述的二維拓撲絕緣體在電學器件中的應用。
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