[發明專利]一種VOCs氣體處理系統在審
| 申請號: | 201811267783.4 | 申請日: | 2018-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN109107385A | 公開(公告)日: | 2019-01-01 |
| 發明(設計)人: | 張偉明;謝娟;汪哲;何軍民 | 申請(專利權)人: | 上海盛劍環境系統科技股份有限公司 |
| 主分類號: | B01D53/86 | 分類號: | B01D53/86;B01D46/00;B01D46/10;B01D46/30 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 羅滿 |
| 地址: | 201821 上海市嘉定區*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理系統 催化氧化單元 沸石單元 過濾單元 凈化 催化氧化處理 初步過濾 凈化效率 過濾 相通 | ||
1.一種VOCs氣體處理系統,其特征在于,包括用以對VOCs氣體進行初步過濾的過濾單元、用以對過濾后的VOCs氣體進行凈化的沸石單元,以及用以對凈化后的VOCs氣體進行催化氧化的催化氧化單元,所述過濾單元、所述沸石單元與所述催化氧化單元通過管路相通。
2.根據權利要求1所述的VOCs氣體處理系統,其特征在于,所述沸石單元包括至少三個吸附沸石模塊、一個冷卻沸石模塊,以及一個脫附沸石模塊;所述吸附沸石模塊、所述冷卻沸石模塊和所述脫附沸石模塊的底部均設有用以連通吸附冷卻總路(1)的吸附冷卻支路(2)及用以連通脫附總路(3)的第一脫附支路(4),各所述沸石模塊的頂部均設有用以連通第一達標排放總路(5)的達標排放支路(6)及用以連通所述脫附總路(3)的第二脫附支路(7),所述吸附冷卻支路(2)與所述達標排放支路(6)對角設置,且所述第一脫附支路(4)與所述第二脫附支路(7)對角設置;所述吸附冷卻支路(2)、所述第一脫附支路(4)、所述達標排放支路(6)以及所述第二脫附支路(7)均安裝有閥門(8);
所述脫附總路(3)安裝有用以分解VOCs氣體的所述催化氧化單元和用以將VOCs氣體加熱至脫附溫度的第一加熱器(9)。
3.根據權利要求2所述的VOCs氣體處理系統,其特征在于,所述過濾單元包括過濾裝置(10)和用以將VOCs氣體供入所述過濾裝置(10)的第一風機(11),所述過濾裝置(10)的出口端連通于所述吸附冷卻總路(1)的入口端。
4.根據權利要求2所述的VOCs氣體處理系統,其特征在于,所述催化氧化單元包括換熱器(12)、用以對VOCs氣體進行加熱的第二加熱器(13)、用以對VOCs氣體進行催化氧化反應的催化氧化反應器(14),所述換熱器(12)、所述第二加熱器(13)以及所述催化氧化反應器(14)通過管路連通構成循環反應回路;還包括用以向所述換熱器(12)提供VOCs氣體的第二風機(15)。
5.根據權利要求3所述的VOCs氣體處理系統,其特征在于,所述過濾裝置具體為三層過濾結構,包括不銹鋼過濾網、玻璃纖維過濾棉和活性炭過濾棉。
6.根據權利要求4所述的VOCs氣體處理系統,其特征在于,還包括安裝于所述第一達標排放總路(5)出口端的紫外線照射燈(16)。
7.根據權利要求5所述的VOCs氣體處理系統,其特征在于,還包括分設于所述紫外線照射燈(16)左右兩側的第一濃度檢測儀(17)和第二濃度檢測儀(18),所述紫外線照射燈(16)、所述第一濃度檢測儀(17),以及所述第二濃度檢測儀(18)均通過管路相連通。
8.根據權利要求6所述的VOCs氣體處理系統,其特征在于,所述吸附沸石模塊、所述冷卻沸石模塊以及所述脫附沸石模塊的內部均設有蜂窩狀通氣孔。
9.根據權利要求1至8任意一項所述的VOCs氣體處理系統,其特征在于,所述吸附沸石模塊、所述冷卻沸石模塊以及所述脫附沸石模塊均包括多個沸石塊單元(19),多個所述沸石塊單元(19)橫縱拼接;
所述沸石塊單元(19)包括底層拼接組塊(191)、第四層立方體沸石塊(192)、第三層立方體沸石塊(193)、第二層立方體沸石塊(194),以及第一層立方體沸石塊(195);所述底層拼接組塊(191)由四個所述立方體沸石塊拼接組成,所述第四層立方體沸石塊(192)對齊于所述底層拼接組塊(191)中的一個所述立方體沸石塊設置,所述第三層立方體沸石塊(193)、所述第二層立方體沸石塊(194),以及所述第一層立方體沸石塊(195)相對于所述底層拼接組塊(191)自下至上逆時針排列。
10.根據權利要求1至8任意一項所述的VOCs氣體處理系統,其特征在于,所述吸附沸石模塊、所述冷卻沸石模塊以及所述脫附沸石模塊均包括多個沸石塊單元(19),多個所述沸石塊單元(19)橫縱拼接;
所述沸石塊單元(19)包括底層拼接組塊(191)、第四層立方體沸石塊(192)、第三層立方體沸石塊(193)、第二層立方體沸石塊(194),以及第一層立方體沸石塊(195);所述底層拼接組塊(191)由四個所述立方體沸石塊拼接組成,所述第四層立方體沸石塊(192)對齊于所述底層拼接組塊(191)中的一個所述立方體沸石塊設置,所述第三層立方體沸石塊(193)、所述第二層立方體沸石塊(194),以及所述第一層立方體沸石塊(195)相對于所述底層拼接組塊(191)自下至上順時針排列。
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