[發(fā)明專利]一種單晶硅晶棒的長晶方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811267664.9 | 申請日： | 2018-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN111101195A | 公開（公告）日： | 2020-05-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 沈偉民;范進(jìn) | 申請（專利權(quán)）人： | 上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/20 | 分類號： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務(wù)所 11336 | 代理人： | 董巍;高偉 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 單晶硅 方法 | ||
1.一種單晶硅晶棒的長晶方法，其特征在于，所述長晶方法依次包括放肩階段和等徑階段，其中，通過控制所述放肩階段的放肩速度和/或溫度來增加放肩段的高度，以使固液界面在所述放肩階段完成從向下凹陷到平坦的過渡。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的長晶方法，其特征在于，所述放肩段的高度不小于所述單晶硅晶棒等徑段直徑的1/3。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的長晶方法，其特征在于，所述放肩速度為提拉速度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的長晶方法，其特征在于，所述溫度為加熱器溫度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的長晶方法，其特征在于，在所述放肩階段同時(shí)調(diào)整所述放肩速度和所述溫度，并實(shí)時(shí)控制所述放肩段的直徑變化，直到所述放肩段的直徑達(dá)到等徑段的直徑。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的長晶方法，其特征在于，所述放肩速度范圍為0.35mm/min-1.5mm/min。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的長晶方法，其特征在于，在所述放肩階段之前還包括引晶階段，在所述等徑階段之后還包括收尾階段。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7之一所述的長晶方法，其特征在于，所述長晶方法為直拉法。
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