[發明專利]一種單晶硅晶棒的長晶方法在審
| 申請號： | 201811267643.7 | 申請日： | 2018-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN111101194A | 公開（公告）日： | 2020-05-05 |
| 發明（設計）人： | 沈偉民;范進 | 申請（專利權）人： | 上海新昇半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/20 | 分類號： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;高偉 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 單晶硅 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種單晶硅晶棒的長晶方法，其特征在于，所述長晶方法依次包括等徑階段和收尾階段，其中，通過控制所述收尾階段的收尾速度和/或溫度來增加收尾段的高度，以使等徑段頂部和底部的BMD密度一致。
2.根據權利要求1所述的長晶方法，其特征在于，所述收尾段的高度不小于所述等徑段直徑的1/3。
3.根據權利要求1所述的長晶方法，其特征在于，所述收尾速度為提拉速度。
4.根據權利要求1所述的長晶方法，其特征在于，所述溫度為加熱器溫度。
5.根據權利要求1所述的長晶方法，其特征在于，在所述收尾階段同時調整所述收尾速度和所述溫度，并實時控制所述收尾段的直徑變化。
6.根據權利要求1所述的長晶方法，其特征在于，所述收尾速度的平均值的范圍為0.6mm/min-0.7mm/min。
7.根據權利要求1所述的長晶方法，其特征在于，在所述等徑階段之前還包括引晶階段和放肩階段。
8.根據權利要求1-7之一所述的長晶方法，其特征在于，所述長晶方法為直拉法。
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