[發(fā)明專利]一種多光束垂直腔面發(fā)射激光芯片及其制作方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201811267434.2
• 申請日: 2018-10-29
• 公開（公告）號: CN109038216A
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 彭鈺仁;賈釗;許晏銘;洪來榮;陳為民;陳進(jìn)順;翁妹芝;張坤銘;朱鴻根;陳偉明;許勇輝;郭河
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門乾照半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183;H01S5/187
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種多光束垂直腔面發(fā)射激光芯片，其特征在于，垂直腔面發(fā)射激光芯片的出光區(qū)域具有第一透明層以及位于所述第一透明層表面的第二透明層；

所述第一透明層具有將所述芯片的出射光分成多束光的衍射光柵；

所述第二透明層具有使所述衍射光出射的多束光進(jìn)行干涉加強的干涉狹縫。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述衍射光柵包括多個第一狹縫，所述干涉狹縫包括多個第二狹縫；

所述第二狹縫在所述芯片所在平面上的投影位于相鄰的兩個所述第一狹縫在所述芯片所在平面上的投影之間；

所述第二狹縫和所述第一狹縫在垂直于所述芯片所在平面方向上的間距等于所述芯片出射光波長的整數(shù)倍。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的芯片，其特征在于，所述芯片包括襯底、依次位于所述襯底第一表面的N型DBR層、MQW層、P型DBR層、緩沖層和第一電極、位于所述襯底第二表面的第二電極；

其中所述第一表面和所述第二表面為所述襯底相對的兩個表面，所述出光區(qū)域為所述緩沖層未被所述第一電極覆蓋的區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片，其特征在于，所述狹縫在所述芯片所在平面上的投影的形狀與所述出光區(qū)域在所述芯片所在平面上的投影的形狀對應(yīng)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片，其特征在于，所述出光區(qū)域在所述芯片所在平面上的投影的形狀為圓形，所述狹縫在所述芯片所在平面上的投影為圓環(huán)形；

或者，所述出光區(qū)域在所述芯片所在平面上的投影的形狀為方形，所述狹縫在所述芯片所在平面上的投影為方環(huán)形。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述透明層的材料為玻璃。

7.一種多光束垂直腔面發(fā)射激光芯片的制作方法，其特征在于，包括：

在垂直腔面發(fā)射激光芯片的出光區(qū)域形成第一透明層；

對所述第一透明層進(jìn)行刻蝕，形成將所述芯片的出射光分成多束光的衍射光柵；

在所述衍射光柵的表面形成第二透明層；

對所述第二透明層進(jìn)行刻蝕，形成使所述衍射光出射的多束光發(fā)生干涉加強的干涉狹縫。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在形成所述第二透明層之前，還包括：

在所述衍射光柵的表面形成第三透明層，以使所述第二狹縫和所述第一狹縫在垂直于所述芯片所在平面方向上的間距等于所述芯片出射光波長的整數(shù)倍。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述透明層的材料為玻璃。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在形成所述第一透明層之前，還包括：

提供襯底；

在所述襯底的第一表面依次形成N型DBR層、MQW層、P型DBR層、緩沖層和第一電極；

在所述襯底的第二表面形成第二電極；

其中所述第一表面和所述第二表面為所述襯底相對的兩個表面，所述出光區(qū)域為所述緩沖層未被所述第一電極覆蓋的區(qū)域。