[發明專利]一種大注入倒裝微米LED芯片及其制備方法

有效

• 申請號: 201811266665.1
• 申請日: 2018-10-29
• 公開（公告）號: CN109461753B
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: 焦飛;李誠誠;陳志忠;康香寧;詹景麟;陳怡帆;陳毅勇;聶靖昕;趙彤陽;馮玉龍;沈波
• 申請（專利權）人: 北京協同創新研究院;北京大學
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/42;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64
• 代理公司: 北京萬象新悅知識產權代理有限公司 11360
• 代理人: 王巖

1.一種大注入倒裝微米LED芯片，其特征在于，所述大注入倒裝微米LED芯片包括：生長襯底、N型GaN層、微米發光臺面、電極絕緣層、N型電極、反光層、金屬找平層、N型焊盤、P型焊盤、基板、基板絕緣層、N型電極電流總線、P型電極電流總線、N焊盤和P焊盤；其中，在生長襯底上形成N型GaN層；在N型GaN層上依次生長量子阱和P型GaN層，并形成P型透明電極，從而形成外延片；刻蝕P型透明電極和外延片至部分N型GaN層，從而在剩下的部分N型GaN層上形成陣列排布的微米發光臺面，所述微米發光臺面從下至上依次包括部分N型GaN層、量子阱、P型GaN層和P型透明電極；在微米發光臺面的周圍形成環繞的N型電極，N型電極與微米發光臺面之間不接觸，N型電極的表面與P型透明電極的表面在同一個平面；在N型電極與微米發光臺面的P型透明電極之間填充電極絕緣層；在微米發光臺面上形成反光層；在N型電極的表面形成金屬找平層，金屬找平層的表面與電極絕緣層和反光層的表面在同一個平面；在連接著N型電極的金屬找平層上形成N型焊盤；在P型透明電極上形成P型焊盤，從而形成LED芯片；在基板上形成基板絕緣層；分別與形成在外延片上的N型焊盤和P型焊盤相對應，在基板絕緣層上形成N焊盤和P焊盤；在基板上沒有形成基板絕緣層的邊緣表面形成N型電極電流總線和P型電極電流總線；所述N焊盤連接至N型電極電流總線，P焊盤連接至P型電極電流總線；N焊盤與N型焊盤對準共晶焊接，并且P焊盤與P型焊盤對準共晶焊接；所述N型電極電流總線和P型電極電流總線分別連接至外電路。

2.如權利要求1所述的大注入倒裝微米LED芯片，其特征在于，所述P焊盤與P型焊盤對準的共晶焊接為獨立焊接。

3.如權利要求1所述的大注入倒裝微米LED芯片，其特征在于，所述微米發光臺面的表面形狀為圓形；環繞微米發光臺面的N型電極的內邊緣也為圓形；P型透明電極的表面形狀為圓形。

4.如權利要求3所述的大注入倒裝微米LED芯片，其特征在于，所述微米發光臺面的表面的直徑為5～200μm；陣列排布的微米發光臺面的個數為2～1000。

5.如權利要求1所述的大注入倒裝微米LED芯片，其特征在于，所述N型電極互聯在LED芯片上實現；P型透明電極互聯在基板上實現。

6.如權利要求1所述的大注入倒裝微米LED芯片，其特征在于，所述電極絕緣層和基板絕緣層采用高導熱材料。