[發明專利]SiC外延晶片

在審

• 申請號: 201811266635.0
• 申請日: 2018-10-29
• 公開（公告）號: CN109786211A
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發明（設計）人: 石橋直人;深田啟介
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 王瀟悅;段承恩

1.一種SiC外延晶片，具備：SiC單晶基板和位于所述SiC單晶基板的一面側的載流子濃度變動層，

所述載流子濃度變動層是高濃度層和低濃度層交替地層疊多層而成的，所述高濃度層的載流子濃度比相鄰的層高，所述低濃度層的載流子濃度比相鄰的層低。

2.根據權利要求1所述的SiC外延晶片，

所述高濃度層和所述低濃度層的膜厚為0.5μm以下。

3.根據權利要求1所述的SiC外延晶片，

多個所述高濃度層之中的至少一個所述高濃度層的載流子濃度是相鄰的所述低濃度層的載流子濃度的2倍以上。

4.根據權利要求1所述的SiC外延晶片，

多個所述高濃度層的載流子濃度的平均值是多個所述低濃度層的載流子濃度的平均值的2倍以上。

5.根據權利要求1所述的SiC外延晶片，

所述載流子濃度變動層的平均載流子濃度是1×10¹⁸個/cm³以上。

6.根據權利要求1～5的任一項所述的SiC外延晶片，具備：SiC單晶基板、層疊在所述SiC單晶基板的一面上的緩沖層和層疊在所述緩沖層上的漂移層，

所述緩沖層的一部分或全部是所述載流子濃度變動層。