[發明專利]兼容單/多晶黑硅的濕法背拋光裝置及濕法背拋光方法

在審

• 申請號: 201811265039.0
• 申請日: 2018-10-29
• 公開（公告）號: CN109487340A
• 公開（公告）日: 2019-03-19
• 發明（設計）人: 杜歡;吳兢;趙興國;胡勇軍;闕亞萍;朱雅文
• 申請（專利權）人: 江蘇輝倫太陽能科技有限公司
• 主分類號: C30B33/10
• 分類號: C30B33/10;C30B29/06;C23F1/24;H01L31/0236
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

1.兼容單/多晶黑硅的濕法背拋光裝置，其特征在于，包括載片花籃本體(1)，所述載片花籃本體(1)的相對內壁上一一對應式設置有若干卡板單元(2)，每一所述卡板單元(2)包括第一卡板(3)、第二卡板(4)和第三卡板(5)，所述第一卡板(3)和第二卡板(4)之間的間距與所述第二卡板(4)和第三卡板(5)之間的間距相同且均為2～3mm，相鄰所述卡板單元(2)之間的間距大于所述第一卡板(3)和第二卡板(4)之間的間距且為所述第一卡板(3)和第二卡板(4)之間的間距的3～4倍。

2.采用權利要求1所述的兼容單/多晶黑硅的濕法背拋光裝置的濕法背拋光方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1，將硅片裝入第一卡板(3)和第二卡板(4)之間以及所述第二卡板(4)和第三卡板(5)之間；

S2，在80-85℃，用氫氧化鉀、雙氧水及非離子型表面活性劑的體系里進行表面粗制絨；

S3，用金屬鹽、氫氟酸和雙氧水的混合液在經表面粗制絨的硅片表面沉積金屬；

S4，用多重濃度硝酸溶液對S3的表面沉積金屬的硅片進行不完全脫銀處理；

S5，用10-20℃的氫氟酸和硝酸的混合溶液對S3的不完全脫銀處理后的硅片表面進行結構修飾；

S6，用氨水和雙氧水混合液清洗S5的表面結構修飾后的硅片；

S7，用氫氟酸和鹽酸的混合溶液清洗S6的清洗后的硅片，并吹干即可制得背拋光黑硅。

3.根據權利要求2所述的兼容單/多晶黑硅的濕法背拋光方法，其特征在于：所述硅片包括單晶硅片或多晶硅片。

4.根據權利要求2所述的兼容單/多晶黑硅的濕法背拋光方法，其特征在于：S2中，將硅片浸入25-35wt％的雙氧水與15-25wt％的氫氧化鉀混合溶液，所述混合液中H₂O₂：KOH：純水的體積配比為(1～10)：(2～10)：(1～10)，表面粗制絨的反應溫度為80-85℃，反應時間為240-400s。

5.根據權利要求2所述的兼容單/多晶黑硅的濕法背拋光方法，其特征在于：S3中，所述氫氟酸的濃度為0.1～5wt％，金屬鹽的濃度為0.01～0.1wt％，反應溫度為5～40℃，反應時間為30～180s。

6.根據權利要求2或5所述的兼容單/多晶黑硅的濕法背拋光方法，其特征在于：所述金屬鹽為AgNO₃、Cu(NO₃)₂、HAuCl₄、H₂PtCl₆·6H₂O中的一種或多種混合。

7.根據權利要求2所述的兼容單/多晶黑硅的濕法背拋光方法，其特征在于：S4中，將硅片浸入到硝酸溶液中，硝酸溶液按由高到低的濃度分配在3-5個槽體內，所述硝酸溶液濃度為1～10wt％，反應溫度為25～50℃，反應時間為60～240s，進行不完全脫銀。

8.根據權利要求2所述的兼容單/多晶黑硅的濕法背拋光方法，其特征在于：S5中，將硅片浸入45-55wt％氫氟酸和65-75wt％硝酸的混合溶液，混合溶液中HF：HNO₃：純水的體積配比為(1～4)：(2～5)：(5～20)，反應溫度為10-20℃，反應時間為30～300s。

9.根據權利要求2所述的兼容單/多晶黑硅的濕法背拋光方法，其特征在于：S6中，將硅片浸入20-30wt％氨水和25-35wt％雙氧水的混合液中，混合液中氨水：雙氧水：純水的體積配比為(2～10)：(4～10)：(1～10)，反應溫度為30～60℃，反應時間為60～600s。

10.根據權利要求2所述的兼容單/多晶黑硅的濕法背拋光方法，其特征在于：S7中，用濃度為3-8wt％的氫氟酸和3-8wt％鹽酸等體積混合液清洗上述硅片并用氮氣吹干。