[發(fā)明專利]一種圓片級深紫外LED的封裝方式在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811263165.2 | 申請日： | 2018-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN111106221A | 公開（公告）日： | 2020-05-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉勝;甘志銀;嚴(yán)晗 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣東眾元半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/54 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 528251 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 圓片級 深紫 led 封裝 方式 | ||
1.一種圓片級深紫外LED的封裝方式，其特征在于，包括如下步驟：
步驟一、對深紫外LED芯片單元外延層邊緣進(jìn)行刻蝕，并且刻蝕到襯底層，襯底層的刻蝕深度大于0.05微米；
步驟二、用絕緣層一對芯片除N層與P層電極接觸以外的地方進(jìn)行絕緣包封，絕緣層一材料為SiO2或Si3N4，絕緣層一的厚度為1～2微米；
步驟三、通過濺射與蒸發(fā)工藝，制作基板焊接電極引出電路，基板材料采用Si片或者陶瓷片，基板尺寸為2英寸或大于2英寸；
步驟四、將深紫外LED芯片通過表面貼片工藝焊接在基板上，并在焊接有深紫外LED芯片的基板上沉積絕緣層二，用絕緣層二將基板與深紫外LED芯片進(jìn)行包封；
步驟五、根據(jù)芯片尺寸，對基板進(jìn)行激光切割。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓片級深紫外LED的封裝方式，其特征在于，在步驟一中，所述深紫外LED芯片單元刻蝕到襯底層的外延層邊緣寬度為20～50微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓片級深紫外LED的封裝方式，其特征在于，在步驟四中，所述絕緣層二的沉積方式為在焊接有深紫外LED芯片的基板上整體沉積絕緣層二，或者在已焊接的深紫外LED芯片單元間隙沉積絕緣層二以包裹芯片的四周方式來保護(hù)芯片。
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