[發(fā)明專利]一種基于串聯(lián)限壓MOS管降低底噪的AB類放大器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811261113.1 | 申請(qǐng)日： | 2018-10-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109104158A | 公開（公告）日： | 2018-12-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 秦鵬舉;盧昌鵬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海海櫟創(chuàng)微電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H03F1/26 | 分類號(hào)： | H03F1/26;H03F3/21;H03F3/26 |
| 代理公司： | 上海碩力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31251 | 代理人： | 郭桂峰 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區(qū)丹桂*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 偏置 串聯(lián) 偏置電壓 限壓 底噪 高壓MOS器件 襯底電流 偏置控制 輸出模塊 正反饋 輸出 減小 開發(fā) | ||
1.一種基于串聯(lián)限壓MOS管降低底噪的AB類放大器，其特征在于，包括：
MOS管輸出模塊，包括接入第一偏置電壓的第一端口和接入第二偏置電壓的第二端口；
MOS管偏置控制模塊，包括第一N型偏置MOS管、第二N型偏置MOS管，第一P型偏置MOS管、第二P型偏置MOS管；
所述第二P型偏置MOS管分別與所述第一N型偏置MOS管和第一P型偏置MOS管串聯(lián)輸出所述第一偏置電壓；所述第二N型偏置MOS管分別與所述第一N型偏置MOS管和第一P型偏置MOS管串聯(lián)輸出所述第二偏置電壓；
其中，所述第一N型偏置MOS管與所述第二P型偏置MOS管之間串聯(lián)若干個(gè)N型限壓MOS管，所述第一P型偏置MOS管與所述第二N型偏置MOS管之間串聯(lián)若干個(gè)P型限壓MOS管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于串聯(lián)限壓MOS管降低底噪的AB類放大器，其特征在于，所述MOS管輸出模塊包括：
P型輸出MOS管和N型輸出MOS管；所述P型輸出MOS管的源極與電源連接，所述P型輸出MOS管與所述N型輸出MOS管共漏極并作為AB類放大器的輸出端，所述N型輸出MOS管的源極接地；其中，所述第一端口為所述P型輸出MOS管的柵極，所述第二端口為所述N型輸出MOS的柵極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于串聯(lián)限壓MOS管降低底噪的AB類放大器，其特征在于，所述MOS管偏置控制模塊包括：
所述第二P型偏置MOS管的柵極作為AB類放大器的第一輸入端，所述第二P型偏置MOS管的源極與電源連接，所述第二P型偏置MOS管的漏極分別與所述第一P型偏置MOS管的源極、所述第一N型偏置MOS管的漏極和所述P型輸出MOS管的柵極連接；
所述第一P型偏置MOS管的源極與所述P型輸出MOS管的柵極連接，漏極與所述N型輸出MOS管的柵極連接；所述第一N型偏置MOS管的漏極與所述P型輸出MOS管的柵極連接，源極與所述N型輸出MOS管的柵極連接；
所述第二N型偏置MOS管的柵極作為AB類放大器的第二輸入端，所述第二N型偏置MOS管的漏極分別與所述第一N型偏置MOS管的源極、所述第一P型偏置MOS管的漏極和所述N型輸出MOS管的柵極連接，所述第二N型偏置MOS管的的源極接地；
與所述第一N型偏置MOS管相鄰的N型限壓MOS管的源極與所述第一N型偏置MOS管的漏極連接，與所述第二P型偏置MOS管相鄰的N型限壓MOS管與所述第二P型偏置MOS管共漏極；
與所述第一P型偏置MOS管相鄰的P型限壓MOS管的源極與所述第一P型偏置MOS管的漏極連接，與所述第二N型偏置MOS管相鄰的P型限壓MOS管與所述第二N型偏置MOS管共漏極。
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H03F 放大器
H03F1-00 只用電子管，只用半導(dǎo)體器件或只用未特別指明的器件作為放大元件的放大器的零部件
H03F1-02 .為提高效率對(duì)放大器的改進(jìn)，例如滑動(dòng)甲類放大級(jí)，采用輔助振蕩
H03F1-08 .為減少放大元件內(nèi)阻的有害影響對(duì)放大器的改進(jìn)
H03F1-26 .為減少由放大元件產(chǎn)生的噪聲影響對(duì)放大器的改進(jìn)
H03F1-30 .為減少溫度變化或電源電壓變化的影響對(duì)放大器的改進(jìn)
H03F1-32 .為減少非線性失真對(duì)放大器的改進(jìn)
