[發明專利]一種OTP優化存儲結構、存儲方法、讀取方法、控制芯片

在審

• 申請號: 201811260946.6
• 申請日: 2018-10-26
• 公開（公告）號: CN111104050A
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 彭小衛;聶玉慶
• 申請（專利權）人: 珠海格力電器股份有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 天津三元專利商標代理有限責任公司 12203
• 代理人: 錢凱

本發明公開了一種OTP優化存儲結構、存儲方法、讀取方法、控制芯片，包括存儲區塊，所述存儲區塊包括數據存儲區塊和地址存儲區塊，所述數據存儲區塊用于存儲OTP值，所述地址存儲區塊用于存儲需要重新燒寫的OTP值在數據存儲區塊的地址，并設置燒寫使能位，用于指示存儲區塊是否被燒寫過，本發明，設置數據存儲區塊和地址存儲區塊，優化了OTP存儲，實現簡單，提高了OTP存儲有效性，滿足二次或者多次燒寫的要求，最大程度避免因燒錯和升級導致IC報廢的情況，節約OTP存儲成本和減少IC報廢率。

技術領域

本發明涉及OTP技術領域，具體的涉及一種OTP優化存儲結構、存儲方法、讀取方法、控制芯片。

背景技術

OTP(One Time Programable)是IC的一種存儲結構類型，只支持一次性可編程，一旦燒寫成功，將不可再次更改和清除，某些情況下，如果OTP燒寫值燒錯，或者需要升級OTP值時，原來燒寫的IC只能報廢處理，造成浪費。有些IC會采用2倍空間的OTP存儲空間，一半用來備用，這樣雖然可以解決問題，但是預留一倍的空間，太浪費，增加成本，且只能滿足二次燒寫要求。多數情況下，燒錯和升級需要修改的OTP值并不多，可以考慮預留更少的OTP存儲空間來解決該問題。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術中OTP需要二次或者多次燒寫時導致IC報廢浪費，成本高的技術問題，提供一種OTP優化存儲結構、存儲方法、讀取方法、控制芯片。

為實現上述目的，本發明采用的技術方案如下：一種OTP優化存儲結構，包括存儲區塊，所述存儲區塊包括數據存儲區塊和地址存儲區塊，所述數據存儲區塊用于存儲OTP值，所述地址存儲區塊用于存儲需要重新燒寫的OTP值在數據存儲區塊的地址，且設置燒寫使能位，用于指示存儲區塊是否被燒寫過。

進一步的，將地址存儲區塊的末位設置為燒寫使能位。

進一步的，所述數據存儲區塊的存儲空間、地址存儲區塊的存儲空間根據用戶需求設置。

進一步的，所述數據存儲區塊的存儲空間大于地址存儲區塊的存儲空間。

一種控制芯片，包括上述的OTP優化存儲結構，所述的控制芯片包括IC芯片。

一種OTP優化存儲方法，控制上述的OTP優化存儲結構，方法如下：

確定OTP存儲區塊的存儲空間大小，根據存儲空間大小劃分數據存儲區塊和地址存儲區塊，數據存儲區塊存儲OTP值，地址存儲區塊存儲需要重新燒寫的OTP值在數據存儲區塊的地址，并設置燒寫使能位，

檢查是否需要重新燒寫數據存儲區塊的OTP值，記錄需要重新燒寫OTP值對應的地址，在地址存儲區塊燒寫需要重新燒寫OTP值對應的地址，在數據存儲區塊重新燒寫OTP值；

改變燒寫使能位的值。

進一步的，按照需要重新燒寫的順序依次在存儲區塊上進行燒寫。

一種OTP存儲讀取方法，控制上述的OTP優化存儲結構，方法如下：

讀取燒寫使能位的值，判斷是否有改變；

改變時，讀取存儲在地址存儲區塊的地址及該地址對應的存儲在數據存儲區塊的OTP值；

將該地址原有的OTP值替換為重新燒寫的OTP值。

進一步的，依次在存儲區塊上讀取燒寫使能位，燒寫使能位未改變時，停止讀取。