[發明專利]一種三維存儲器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201811260438.8
• 申請日: 2018-10-26
• 公開（公告）號: CN109326600B
• 公開（公告）日: 2021-04-27
• 發明（設計）人: 王啟光;藍天;靳磊;夏志良;張安;李偉;蒲月強;閆亮
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11582
• 分類號: H01L27/11582;H01L27/11568
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 高潔;張穎玲

1.一種三維存儲器件的制備方法，其特征在于，所述三維存儲器件具有溝道通孔，所述方法包括以下步驟：

在所述溝道通孔的側壁以及底部形成功能層；

所述形成功能層的步驟具體包括：在所述溝道通孔的側壁以及底部形成阻擋層；在所述阻擋層上形成存儲層；在所述存儲層上形成隧穿層；

去除覆蓋在所述溝道通孔的底部的所述功能層，以使所述功能層形成為以下結構：

所述功能層的底端內壁沿所述溝道通孔徑向向外的方向凹陷，使得所述功能層的內壁在底端形成有臺階；所述臺階位于所述隧穿層的底端內壁；所述存儲層的底端沿所述溝道通孔徑向向內的方向彎折；所述阻擋層的底端沿所述溝道通孔徑向向內的方向彎折。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述溝道通孔的軸向方向上，所述功能層在所述底端以上的部分厚度均勻。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述功能層之前，所述方法還包括：在所述溝道通孔的底部形成外延層；所述功能層形成于所述溝道通孔中的所述外延層上。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述溝道通孔的孔徑從頂部到底部逐漸減小。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述隧穿層的材料為二氧化硅。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除覆蓋在所述溝道通孔的底部的所述功能層的步驟包括：

在所述功能層上形成犧牲層，

形成貫穿所述犧牲層底部以及所述功能層底部的開口；

對所述功能層的底端進行橫向刻蝕，以使所述功能層形成為所述結構。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述犧牲層的厚度沿所述溝道通孔的軸向方向從頂部到底部逐漸減小。

8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述形成犧牲層的步驟具體包括：

在爐管中采用化學氣相沉積工藝，直接在所述功能層的表面上沉積形成所述犧牲層。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述在爐管中采用化學氣相沉積工藝沉積形成所述犧牲層的工藝溫度為1000℃以上。

10.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：去除所述犧牲層。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，具體采用濕法刻蝕工藝去除所述犧牲層。

12.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，在去除所述犧牲層后，所述方法還包括：形成溝道層，所述溝道層與所述隧穿層的側壁相接觸。

13.一種三維存儲器件的制備方法，其特征在于，所述三維存儲器件具有溝道通孔，所述方法包括以下步驟：

在所述溝道通孔的側壁以及底部形成功能層；

在所述功能層上形成犧牲層；

形成貫穿所述犧牲層底部以及所述功能層底部的開口；

對所述功能層的底端進行橫向刻蝕，進一步去除所述功能層的所述底部，以使所述功能層形成為以下結構：

所述功能層的內壁為：在所述溝道通孔的軸向方向上呈平坦狀的表面。

14.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，在所述溝道通孔的軸向方向上，所述功能層整體厚度均勻。

15.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，在形成所述功能層之前，所述方法還包括：在所述溝道通孔的底部形成外延層；所述功能層形成于所述溝道通孔中的所述外延層上。

16.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，所述溝道通孔的孔徑從頂部到底部逐漸減小。