[發明專利]流場分布的檢測方法有效
| 申請號： | 201811260048.0 | 申請日： | 2018-10-26 |
| 公開（公告）號： | CN111106024B | 公開（公告）日： | 2023-09-29 |
| 發明（設計）人： | 王沛萌;請求不公布姓名;請求不公布姓名 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 分布 檢測 方法 | ||
1.一種流場分布的檢測方法，用于檢測濕法清洗過程中清洗機臺的槽體的流場分布，其特征在于，包括：
提供表面沒有任何圖案的裸晶圓于不同的清洗機臺的槽體內進行濕法清洗，所述裸晶圓表面分布有鐵離子；
檢測所述裸晶圓表面的鐵離子的濃度分布，并利用所述裸晶圓表面的鐵離子的濃度分布表征所述槽體的流場分布，根據各清洗機臺的槽體的流場分布獲取不同清洗機臺的清洗狀況。
2.如權利要求1所述的流場分布的檢測方法，其特征在于，所述濕法清洗為濕法化學清洗，所述濕法化學清洗包括依次進行的化學試劑清洗、快速傾卸沖洗以及干燥處理。
3.如權利要求1所述的流場分布的檢測方法，其特征在于，根據所述槽體的流場分布獲取所述裸晶圓的清洗狀況分布，以通過所述清洗狀況分布在所述裸晶圓上標記后續制程的缺陷易發區。
4.如權利要求3所述的流場分布的檢測方法，其特征在于，所述缺陷易發區為濕法清洗后的所述裸晶圓表面上鐵離子濃度大于1E10atoms/cm2的區域。
5.如權利要求1所述的流場分布的檢測方法，其特征在于，在對所述裸晶圓進行濕法清洗之后，檢測所述裸晶圓表面的鐵離子的濃度分布之前，所述流場分布的檢測方法還包括：
對所述裸晶圓進行熱氧化工藝。
6.如權利要求5所述的流場分布的檢測方法，其特征在于，在對所述裸晶圓進行熱氧化工藝以一氧化層于所述裸晶圓上，所述氧化層的厚度小于等于100nm。
7.如權利要求6所述的流場分布的檢測方法，其特征在于，對所述裸晶圓進行熱氧化工藝的溫度介于600攝氏度-1000攝氏度之間。
8.如權利要求7所述的流場分布的檢測方法，其特征在于，所述熱氧化工藝包括爐管氧化工藝或快速熱處理工藝。
9.如權利要求1所述的流場分布的檢測方法，其特征在于，采用鐵離子偵測技術檢測所述裸晶圓表面的鐵離子的濃度分布。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
