[發(fā)明專利]外延自組裝高溫生長GaN陣列的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811258975.9 | 申請日： | 2018-10-26 |
| 公開（公告）號： | CN109461645B | 公開（公告）日： | 2022-02-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 許并社;董海亮;賈偉;張愛琴;屈凱;李天保;梁建 | 申請（專利權(quán)）人： | 太原理工大學(xué) |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 太原晉科知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 14110 | 代理人： | 任林芳 |
| 地址： | 030024 *** | 國省代碼： | 山西;14 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 外延 組裝 高溫 生長 gan 陣列 制備 方法 | ||
1.一種外延自組裝高溫生長GaN陣列的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
S1.高溫清洗襯底：在反應(yīng)腔內(nèi)溫度為1150~1250℃時(shí)，通入氫氣，保持1200秒，使襯底表面的雜質(zhì)還原或者清洗干凈；
S2.襯底表面氮化：通過4200 sccm NH3 420秒，使襯底表面原子活性鍵充分與氮原子結(jié)合；
S3. AlGaN形核點(diǎn)的制備:把溫度降為1000℃，NH3流量調(diào)整為2000 sccm，通入15sccmTMAl，保持60秒，在襯底表面均勻形成AIN形核點(diǎn)，然后再通入60 sccm TMGa，保持60秒，Ga原子擴(kuò)散至AlN形核點(diǎn)的位置，形成AlGaN形核點(diǎn)，AlGaN形核點(diǎn)的高度為50nm；
S4.GaN納米柱外延生長:把溫度升至1200℃，NH3流量調(diào)整為200 sccm，通入硅烷5mmol/Lsccm，通入60 sccm TMGa，保持2000秒，使GaN基納米柱外延生長，形成GaN納米柱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種外延自組裝高溫生長GaN陣列的制備方法,其特征在于:所述襯底為Al2O3平面襯底。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種外延自組裝高溫生長GaN陣列的制備方法,其特征在于:所述步驟S4中的GaN納米柱的高度為100~1000nm。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
