[發(fā)明專利]一種電阻等效二極管結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811258510.3
• 申請(qǐng)日: 2018-10-26
• 公開（公告）號(hào): CN109411528B
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 殷慧萍;王聰;張永光;王靜;謝育樺;彭新朝;徐以軍;馮玉明;張亮;黃穗彪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 珠海格力電器股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/861
• 代理公司: 南京知識(shí)律師事務(wù)所 32207
• 代理人: 李湘群

1.一種電阻等效二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括Psub襯底，

N型電阻等效二極管結(jié)構(gòu)：所述Psub襯底上設(shè)置有由硅化物阻擋層SAB及硅化物阻擋層SAB正下方的N+區(qū)組成的電阻器件核心區(qū)，所述電阻器件核心區(qū)的左右各設(shè)置一由電阻器件基礎(chǔ)層N+和高濃度襯底P+ring組成的反向偏置二極管核心區(qū)；所述N型電阻等效二極管結(jié)構(gòu)中的等效電阻是N擴(kuò)散電阻，版圖結(jié)構(gòu)由在N擴(kuò)散基礎(chǔ)上設(shè)置金屬與連接孔組成的低阻端口和在中間N擴(kuò)散基礎(chǔ)上設(shè)置硅化物阻擋層SAB的高阻部分組成，實(shí)現(xiàn)電阻的功能；或者，

P型電阻等效二極管結(jié)構(gòu)：所述Psub襯底上設(shè)置有由硅化物阻擋層SAB及正下方的P+區(qū)組成的電阻器件核心區(qū)，所述電阻器件核心區(qū)的左右各設(shè)置一由電阻器件基礎(chǔ)層P+和高濃度襯底N+ring組成的反向偏置二極管核心區(qū)；所述P型電阻等效二極管結(jié)構(gòu)中的等效電阻是P型擴(kuò)散電阻，版圖結(jié)構(gòu)由在P擴(kuò)散基礎(chǔ)上設(shè)置金屬與連接孔組成的低阻端口和在中間P擴(kuò)散基礎(chǔ)上設(shè)置硅化物阻擋層SAB的高阻部分組成，實(shí)現(xiàn)電阻的功能。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻等效二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述N型電阻等效二極管結(jié)構(gòu)中，反向偏置二極管的泄放電荷能力與反向偏置二極管核心區(qū)的電阻器件基礎(chǔ)層N+區(qū)的面積成正比。

3.據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻等效二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述P型電阻等效二極管結(jié)構(gòu)中，反向偏置二極管的泄放電荷能力與反向偏置二極管核心區(qū)的電阻器件基礎(chǔ)層P+區(qū)的面積成正比。

4.據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻等效二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述N型電阻等效二極管結(jié)構(gòu)中的等效二極管D是在N擴(kuò)散基礎(chǔ)上設(shè)置金屬與連接孔組成的N極和外圍接地的襯底P+ring組成的P極形成二極管PN結(jié)，實(shí)現(xiàn)二極管保護(hù)功能。

5.權(quán)利要求1所述的電阻等效二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述P型電阻等效二極管結(jié)構(gòu)中的等效二極管D是在P擴(kuò)散基礎(chǔ)上設(shè)置金屬與連接孔組成的P極和外圍接電源的襯底N+ring組成的N極形成二極管PN結(jié)，實(shí)現(xiàn)二極管保護(hù)功能。

6.據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻等效二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于：在集成電路版圖中通過在電阻兩極增設(shè)等效二極管，利用一種電阻器件同時(shí)實(shí)現(xiàn)電阻和二極管兩種功能。