[發明專利]一種中透灰色可鋼雙銀低輻射鍍膜玻璃及制備方法

有效

• 申請號: 201811258228.5
• 申請日: 2018-10-26
• 公開（公告）號: CN109081610B
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 熊建;宋宇;楊清華;江維
• 申請（專利權）人: 咸寧南玻節能玻璃有限公司
• 主分類號: C03C17/36
• 分類號: C03C17/36
• 代理公司: 咸寧鴻信專利代理事務所(普通合伙) 42249
• 代理人: 汪彩彩;陽會用

1.一種中透灰色可鋼雙銀低輻射鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，所述鍍膜玻璃包括玻璃基片層(G)和鍍膜層，所述鍍膜層自所述玻璃基片層(G)向外依次復合有十二個膜層，其中第一層(1)為SiNx層，第二層(2)為TiOx層,第三層(3)為ZnAlOx層，第四層(4)為Ag層，第五層(5)為NiCrOx層,第六層(6)為SiNx層,第七層(7)為ZnSnOx層,第八層(8)為ZnAlO層，第九層(9)為Ag層，第十層(10)為NiCrOx層，第十一層(11)為ZnSn層，第十二層(12)為SiNx層；所述第一層(1)為第一電介質組合層，所述第二層(2)為藍光反射層，所述第三層(3)為第一阻擋保護層，所述第四層(4)為低輻射功能層，所述第五層(5)為阻擋保護層，所述第六層(6)、第七層和第八層(8)組成第二電介質組合層，所述第九層(9)為低輻射功能層,所述第十層(10)為第二阻擋保護層，所述第十一層(11)和第十二層(12)組成為第三電介質層；

本方法包括如下步驟：

1)、磁控濺射鍍膜層；

A、磁控濺射第一層(1)：

靶材數量：交流旋轉靶3～4個；靶材配置為硅鋁(SiAl)；工藝氣體比例：氬氣和氮氣，氬氣和氮氣的比例為1:1.14，濺射氣壓為(3～5)×10^-3mbar；鍍膜厚度為10～15nm；

B、磁控濺射第二層(2)：

靶材數量：交流旋轉靶1～2個；靶材配置鈦(Ti)；工藝氣體比例：氬氣和氧氣，氬氣和氧氣的比例為15:1，濺射氣壓為(3～5)×10^-3mbar；鍍膜厚度為3～4nm；

C、磁控濺射第三層(3)：

靶材數量：交流旋轉靶1～2個；靶材配置為鋅鋁(ZnAl)；工藝氣體比例：氬氣和氧氣，氬氣和氧氣的比例為1:2，濺射氣壓為(3～5)×10^-3mbar；鍍膜厚度為8～10nm；

D、磁控濺射第四層(4)：

靶材數量：直流平面靶1個；靶材配置為銀(Ag)；工藝氣體：純氬氣，濺射氣壓為(2～3)×10^-3mbar；鍍膜厚度為6.5～7nm；

E、磁控濺射第五層(5)：

靶材數量：交流旋轉靶1個；靶材配置為鎳鉻(NiCr)；工藝氣體：氬氣和氧氣，氬氣和氧氣的比例為15:1，濺射氣壓為(2～3)×10^-3mbar；鍍膜厚度為2～3nm；

F、磁控濺射第六層(6)：

靶材數量：交流旋轉靶4～5個；靶材配置為硅鋁(SiAl)；工藝氣體比例：氬氣和氮氣，氬氣和氮氣的比例為1:1.14，濺射氣壓為(3～5)×10^-3mbar；鍍膜厚度為75～80nm；

G、磁控濺射第七層：

靶材數量：交流旋轉靶4～5個；靶材配置為鋅錫(ZnSn)；工藝氣體比例：氬氣和氧氣，氬氣和氧氣的比例為1:1.14，濺射氣壓為(3～5)×10^-3mbar；鍍膜厚度為75～80nm；

H、磁控濺射第八層(8)：

靶材數量：交流旋轉靶2～3個；靶材配置為鋅鋁(ZnAl)；工藝氣體比例：氬氣和氧氣，氬氣和氧氣的比例為1:2，濺射氣壓為(3～5)×10^-3mbar；鍍膜厚度為75～80nm；

I、磁控濺射第九層(9)：

靶材數量：交流旋轉靶1個；靶材配置為銀(Ag)；工藝氣體比例：氬氣和氧氣的比例為1:2；鍍膜厚度為27～29nm；濺射氣壓為(3～5)×10^-3mbar；鍍膜厚度為5.6～5.8nm；

或：

靶材數量：直流平面靶1個；靶材配置為銀(Ag)；工藝氣體比：純氬氣，濺射氣壓為(2～3)×10^-3mbar；鍍膜厚度為2.8～3.0nm；

J、磁控濺射第十層(10)：

靶材數量：交流旋轉靶1個；靶材配置為鎳鉻(NiCr)；工藝氣體比：氬氣和氧氣，氬氣和氧氣的比例為15:1，濺射氣壓為(2～3)×10^-3mbar；鍍膜厚度為2～3nm；

K、磁控濺射第十一層(11)：

靶材數量：交流旋轉靶1個；靶材配置為鋅錫(ZnSn)；工藝氣體：氬氣和氮氣，氬氣和氮氣的比例為1:1.14，濺射氣壓為(3～5)×10^-3mbar；鍍膜厚度為10～15nm；

L、磁控濺射第十二層(12)：

靶材數量：交流旋轉靶4～6個；靶材配置為硅鋁(SiAl)；工藝氣體比例：氬氣和氮氣，氬氣和氮氣的比例為1:1.14，濺射氣壓為(3～5)×10^-3mbar；鍍膜厚度為20nm；

2)、鍍膜層總厚度控制在175-180nm之間，濺射室傳動走速控制在4.0-5.0m/min。