[發(fā)明專利]一種有機無機復(fù)合型鈣鈦礦發(fā)光二極管器件及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811257574.1 | 申請日： | 2018-10-26 |
| 公開（公告）號： | CN109411614B | 公開（公告）日： | 2020-12-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李晨;戴海濤;許虞俊;賴良德 | 申請（專利權(quán)）人： | 東南大學(xué) |
| 主分類號： | H01L51/50 | 分類號： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;B82Y10/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京眾聯(lián)專利代理有限公司 32206 | 代理人： | 盧倩 |
| 地址： | 210096 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 有機 無機 復(fù)合型 鈣鈦礦 發(fā)光二極管 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種有機無機復(fù)合型鈣鈦礦發(fā)光二極管器件，由下而上依次包括透明導(dǎo)電陽極ITO、空穴注入層、空穴傳輸層、有機無機鈣鈦礦發(fā)光層、電子傳輸層、陰極；其特征在于，所述有機無機鈣鈦礦發(fā)光層由摻雜了MA的FAPbBr3的納米晶體構(gòu)成，其中FA表示甲脒離子，MA表示甲胺離子；
所述的有機無機鈣鈦礦發(fā)光層，成分為FA0.9MA0.1PbBr3或FA0.8MA0.2PbBr3；
所述透明導(dǎo)電陽極ITO厚度為200nm；所述空穴注入層厚度為220～240nm；電子傳輸層厚度為40nm；陰極為金屬氟化物LiF與金屬Al復(fù)合層，LiF的厚度為1nm，Al的厚度為120nm。
2.如權(quán)利要求1所述的有機無機復(fù)合型鈣鈦礦發(fā)光二極管器件，其特征在于，所述空穴注入層為聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽。
3.如權(quán)利要求1所述的有機無機復(fù)合型鈣鈦礦發(fā)光二極管器件，其特征在于，所述空穴傳輸層為聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)。
4.如權(quán)利要求1所述的有機無機復(fù)合型鈣鈦礦發(fā)光二極管器件，其特征在于，所述電子傳輸層為1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
