[發(fā)明專利]發(fā)光二極管以及包括該發(fā)光二極管的發(fā)光設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811257271.X | 申請日： | 2018-10-26 |
| 公開（公告）號： | CN109713098B | 公開（公告）日： | 2022-01-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李升宰;賓鐘官;李娜沇 | 申請（專利權(quán)）人： | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/20 | 分類號： | H01L33/20;H01L33/38;H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;劉炳勝 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管 以及 包括 發(fā)光 設(shè)備 | ||
1.一種發(fā)光二極管，包括：
陽極；
陰極，其被定位成面對所述陽極；
發(fā)射層，其包括發(fā)射材料層和電子轉(zhuǎn)移層，所述發(fā)射材料層位于所述陽極與所述陰極之間，并且所述電子轉(zhuǎn)移層位于所述陰極與所述發(fā)射材料層之間；
其中，所述電子轉(zhuǎn)移層包括：
第一電子傳輸層，其與所述發(fā)射材料層接觸，所述第一電子傳輸層包括有機材料；以及
第二電子傳輸層，其處在所述第一電子傳輸層與所述陰極之間，所述第二電子傳輸層包括無機材料并與所述第一電子傳輸層接觸，
其中，所述第二電子傳輸層的價帶能級(VBETL2)低于所述發(fā)射材料層的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)能級(HOMOEML)，
其中，所述第一電子傳輸層的最低未占分子軌道(LUMO)能級(LUMOETL1)高于所述發(fā)射材料層的LUMO能級(LUMOEML)，并且
其中，所述第一電子傳輸層的所述LUMO能級(LUMOETL1)與所述發(fā)射材料層的所述LUMO能級(LUMOEML)滿足以下關(guān)系：
0.5eV≤LUMOETL1–LUMOEML≤2.8eV。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述第一電子傳輸層的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)能級(HOMOETL1)與所述發(fā)射材料層的所述HOMO能級(HOMOEML)是相同的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述第一電子傳輸層的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)能級(HOMOETL1)與所述發(fā)射材料層的HOMO能級(HOMOEML)滿足以下關(guān)系：
-0.5eV≤HOMOETL1–HOMOEML≤1.0eV。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述第二電子傳輸層的所述價帶能級(VBETL2)與所述發(fā)射材料層的所述HOMO能級(HOMOEML)滿足以下關(guān)系：
-1.5eV≤VBETL2–HOMOEML≤-0.7eV。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述發(fā)射材料層包括無機發(fā)光顆粒，其中，所述無機發(fā)光顆粒包括半導體納米晶體，并且其中，所述第一電子傳輸層中的有機材料的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)能級與所述半導體納米晶體的HOMO能級是相同的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述發(fā)射材料層包括半導體納米晶體，并且其中，所述半導體納米晶體的最低未占分子軌道(LUMO)能級在-4.8eV至-4.0eV的范圍中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述第二電子傳輸層的導帶能級(CBETL2)處在所述第一電子傳輸層的最低未占分子軌道(LUMO)能級(LUMOETL1)與所述陰極的導帶能級之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述發(fā)射材料層的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)能級(HOMOEML)處在所述第一電子傳輸層的HOMO能級(HOMOETL1)與所述第二電子傳輸層的價帶能級(VBETL2)之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述第二電子傳輸層的所述無機材料包括金屬氧化物顆粒。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于樂金顯示有限公司，未經(jīng)樂金顯示有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811257271.X/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
