[發明專利]SERS芯片及其制作、再生方法

在審

• 申請號: 201811257201.4
• 申請日: 2018-10-26
• 公開（公告）號: CN111103278A
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 趙志剛;叢杉
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: G01N21/65
• 分類號: G01N21/65
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰

1.一種SERS芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

采用磁控濺射工藝在導電基底上制作形成半導體氧化物薄膜；

利用電化學充放電的方式對半導體氧化物薄膜進行活化，獲得SERS芯片。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述導電基底包括非導電基底層以及設置于所述非導電基底層上的導電材料。

3.根據權利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，采用磁控濺射工藝在導電基底上制作形成半導體氧化物薄膜的方法包括：

將經充分清洗的導電基底置于磁控濺射設備腔體內；

選擇相應的靶材以及相應的射頻電源或直流電源；

以氬氣為離子源，通入預定量的氧氣，且在預定溫度和預定時間條件下進行濺射反應，以在導電基底上形成半導體氧化物薄膜。

4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，在所述磁控濺射工藝中，采用的靶材由鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、鉬、鎢中的任意一種制作形成，或者采用的靶材由鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、鉬、鎢中的任意一種的氧化物制作形成。

5.根據權利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，利用電化學充放電的方式對半導體氧化物薄膜進行活化的方法包括：

將導電基底及其上的半導體氧化物薄膜作為工作電極置于電解質溶液中；

在電解質溶液中經恒電壓充放電，以對半導體氧化物薄膜進行活化。

6.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述電解質溶液包括鹽酸、硫酸、氯化鋰、氯化鈉、氯化鎂、氯化鋁、高氯酸鋰、高氯酸鈉、高氯酸鎂、高氯酸鋁、氫氧化鉀、氫氧化鈉中的任意一種。

7.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述恒電壓為-0.9V～0.9V。

8.一種由權利要求1至7任一項所述的制作方法制作形成的SERS芯片。

9.一種權利要求8所述的SERS芯片的再生方法，其特征在于，所述再生方法包括：

將使用過的所述SERS芯片作為工作電極置于電解質溶液中；

在電解質溶液中經恒電壓充放電，以使所述SERS芯片再生。

10.根據權利要求8所述的再生方法，其特征在于，所述電解質溶液包括鹽酸、硫酸、氯化鋰、氯化鈉、氯化鎂、氯化鋁、高氯酸鋰、高氯酸鈉、高氯酸鎂、高氯酸鋁、氫氧化鉀、氫氧化鈉中的任意一種；和/或所述恒電壓為-0.9V～0.9V。