[發明專利]用于形成電鑄部件的成型歧管、組件及方法

在審

• 申請號: 201811257172.1
• 申請日: 2018-10-26
• 公開（公告）號: CN109706486A
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: G·塔吉里;E·M·菲爾普斯;D·G·喬納拉加達;J·R·施密特;Y·楊
• 申請（專利權）人: 和諧工業有限責任公司
• 主分類號: C25D1/10
• 分類號: C25D1/10
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 楊學春;侯穎媖

1.一種用儲液室中的電解流體來在電鑄陰極處電鑄一部件的成型歧管，其包括：

殼體；以及

與所述儲液室流體地連接的且構造成朝所述電鑄陰極供應所述電解流體的一組噴嘴。

2.根據權利要求1所述的成型歧管，其中所述殼體還包括屏蔽元件。

3.根據權利要求2所述的成型歧管，其中所述屏蔽元件貼合所述電鑄陰極的一部分。

4.根據權利要求3所述的成型歧管，其中所述屏蔽元件的至少一部分覆蓋所述電鑄陰極的所述部分。

5.根據權利要求4所述的成型歧管，其中所述屏蔽元件的所述部分覆蓋所述電鑄陰極的高電流密度部分。

6.根據權利要求5所述的電鑄歧管，其中所述屏蔽元件定位在所述電鑄陰極附近，以減少所述電鑄陰極暴露于金屬離子供應源。

7.根據權利要求6所述的成型歧管，其中形成在定位于所述屏蔽元件附近的所述電鑄陰極的所述部分處的部件相比于沒有所述屏蔽元件的所述電鑄陰極的一部分具有減小的厚度。

8.根據權利要求1所述的成型歧管，還包括設在所述殼體中的輔助陽極。

9.一種電鑄組件，其包括：

第一浴槽，所述第一浴槽承載有：

具有第一金屬離子濃度的第一金屬組分溶液；

電鑄陰極，其包括限定了低電流密度區域的輪廓部分；以及

成型歧管，所述成型歧管設置成鄰近所述電鑄陰極，所述成型歧管具有殼體，并且具有朝向所述電鑄陰極的低電流密度區域的一組噴嘴；以及

第二浴槽，所述第二浴槽承載了具有第二金屬離子濃度的第二金屬組分溶液，且與所述一組噴嘴流體地連接。

10.一種電鑄部件的方法，其包括：

提供電鑄陰極，所述電鑄陰極被置于包括具有第一金屬離子濃度的溶液的第一浴槽內；

用成型歧管覆蓋所述電鑄陰極的至少一部分，所述成型歧管具有殼體和朝所述電鑄陰極定向的一組噴嘴；

在所述電鑄陰極被置于所述第一浴槽內的同時將電壓施加到所述電鑄陰極上；以及

將具有第二金屬離子濃度的第二金屬組分溶液從第二浴槽供應至所述一組噴嘴，以形成朝所述電鑄陰極的所述第二金屬組分溶液的流動；

其中所述第二金屬離子濃度大于所述第一金屬離子濃度。