[發明專利]一種多頻帶選控的中低頻吸隔振超穎材料在審
| 申請號： | 201811256784.9 | 申請日： | 2018-10-26 |
| 公開（公告）號： | CN109263165A | 公開（公告）日： | 2019-01-25 |
| 發明（設計）人： | 黃海波;丁渭平;趙丹丹;毛楠杰;楊明亮;張聞見 | 申請（專利權）人： | 西南交通大學 |
| 主分類號： | B32B7/12 | 分類號： | B32B7/12;B32B25/00;B32B15/00;B32B5/02;B32B27/00;B32B15/14;B32B15/06;B32B25/04;B32B25/10 |
| 代理公司： | 成都虹盛匯泉專利代理有限公司 51268 | 代理人： | 王偉 |
| 地址： | 610031 四川省*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 中間層 對稱設置 能量耗散 復合層 上表面 下表面 材料結構 中低頻 隔振 安裝便利 頻率可控 多頻帶 孔陣列 輕量化 嵌入 應用 | ||
1.一種多頻帶選控的中低頻吸隔振超穎材料結構，其特征在于：包括開設有孔陣列基體(1)，以及設置在每一個孔中的能量耗散模塊(2)和控頻模塊(3)，所述能量耗散模塊(2)的兩端分別嵌入基體(1)和控頻模塊(3)中；所述基體(1)由第一中間層(11)以及對稱設置于第一中間層(11)上表面和下表面的第一復合層(12)構成，所述能量耗散模塊(2)由第二中間層(21)以及對稱設置于第二中間層(21)上表面和下表面的第二復合層(22)構成，所述控頻模塊(3)由第三中間層(31)以及對稱設置于第三中間層(31)上表面和下表面的第三復合層(32)構成。
2.根據權利要求1所述的多頻帶選控的中低頻吸隔振超穎材料結構，其特征在于：該結構中，含一個孔的基體(1)以及設置于該孔中能量耗散模塊(2)、控頻模塊(3)組成單個“人工晶胞”，各個“人工晶胞”中的能量耗散模塊(2)/控頻模塊(3)的尺寸并不完全一致，各個“人工晶胞”中的能量耗散模塊(2)和控頻模塊(3)的組合方式并不完全相同,所述組合方式是指能量耗散模塊(2)和控頻模塊(3)不同尺寸的組合。
3.根據權利要求2所述的多頻帶選控的中低頻吸隔振超穎材料結構，其特征在于：各個人工晶胞中的能量耗散模塊(2)/控頻模塊(3)尺寸均不相同，各個人工晶胞中的能量耗散模塊(2)和控頻模塊(3)的組合方式也均不相同。
4.根據權利要求1所述的多頻帶選控的中低頻吸隔振超穎材料結構，其特征在于：所述能量耗散模塊(2)由第二中間層(21)以及對稱設置于第二中間層(21)上表面和下表面的第二復合層(22)構成。
5.根據權利要求1所述的多頻帶選控的中低頻吸隔振超穎材料結構，其特征在于：所述基體(1)、能量耗散模塊(2)和控頻模塊(3)總質量不超過50克。
6.根據權利要求1所述的多頻帶選控的中低頻吸隔振超穎材料結構，其特征在于：所述第一復合層(12)由低密度高硬度金屬材料和/或腈硅橡膠材料制成，所述第二復合層(22)由復合橡膠材料制成，所述第三復合層(32)采用金屬材料制成，所述第一中間層(11)、第二中間層(21)、第三中間層(31)均采用纖維復合材料制成。
7.根據權利要求1所述的多頻帶選控的中低頻吸隔振超穎材料結構，其特征在于：所述能量耗散模塊(2)的兩端分別嵌入第一中間層(11)和第三中間層(31)中。
8.根據權利要求1所述的多頻帶選控的中低頻吸隔振超穎材料結構，其特征在于：所述第一中間層(11)、第二中間層(21)以及第三中間層(31)必須為低密度高硬度金屬材料。
9.根據權利要求1-8任一所述的多頻帶選控的中低頻吸隔振超穎材料結構，其特征在于：所述第一復合層(12)由兩層相互粘接的材料層構成，該兩層材料層分別采用低密度高硬度金屬材料和腈硅橡膠材料制成；所述第二復合層(22)和第三復合層(32)均只由一層材料層構成。
10.根據權利要求1-8任一所述的多頻帶選控的中低頻吸隔振超穎材料結構，其特征在于：所述基體(1)、能量耗散模塊(2)和控頻模塊(3)的各組成層之間均采用粘流態阻尼膠粘接。
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