[發(fā)明專利]電子裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811256224.3
• 申請(qǐng)日: 2018-10-26
• 公開（公告）號(hào): CN110536539B
• 公開（公告）日: 2022-03-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王冠人;陳建志;范智杰;陳欽德;溫振富;丁景隆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 群創(chuàng)光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H05K1/02
• 分類號(hào): H05K1/02;H05K1/14;G09F9/30
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種電子裝置，其特征在于，包含：

一第一基板結(jié)構(gòu)，具有一上表面；

一軟性基板，設(shè)置于該第一基板結(jié)構(gòu)的該上表面上；

一第一凹槽，設(shè)置于該軟性基板的一第一表面，且該第一表面鄰近該第一基板結(jié)構(gòu)的該上表面；以及

一顯示介質(zhì)層，設(shè)置于該軟性基板的一第二表面，其中該第一表面與該第二表面相對(duì)，

其中，由該上表面的一法線方向觀之，該第一凹槽與該第一基板結(jié)構(gòu)重疊。

2.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，還包含一第二凹槽，設(shè)置于該軟性基板的該第一表面。

3.如權(quán)利要求2所述的電子裝置，其特征在于，該第一凹槽具有遠(yuǎn)離該第一基板結(jié)構(gòu)的一第一凹槽頂點(diǎn)，該第二凹槽具有遠(yuǎn)離該第一基板結(jié)構(gòu)的一第二凹槽頂點(diǎn)，該第一基板結(jié)構(gòu)具有一第一基板結(jié)構(gòu)厚度，該第一凹槽頂點(diǎn)與該第二凹槽頂點(diǎn)具有一凹槽頂點(diǎn)間距，其中該凹槽頂點(diǎn)間距大于或等于該第一基板結(jié)構(gòu)厚度。

4.如權(quán)利要求2所述的電子裝置，其特征在于，該第一基板結(jié)構(gòu)具有與該上表面連接的一側(cè)表面以及與該側(cè)表面連接并與該上表面相對(duì)的一下表面，其中該軟性基板覆蓋至少部分的該上表面、至少部分的該側(cè)表面及至少部分的該下表面。

5.如權(quán)利要求2所述的電子裝置，其特征在于，還包含一第二基板結(jié)構(gòu)，該第二基板結(jié)構(gòu)的面積小于該第一基板結(jié)構(gòu)的面積。

6.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，還包括一第二基板結(jié)構(gòu)，其中該軟性基板連接該第一基板結(jié)構(gòu)與該第二基板結(jié)構(gòu)，且該第二基板結(jié)構(gòu)與該第一基板結(jié)構(gòu)至少部分重疊。

7.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，該軟性基板包括一絕緣層，該第一凹槽位于該絕緣層，該第一凹槽具有一第一凹槽深度，該絕緣層具有一厚度，其中該絕緣層的該厚度與該第一凹槽深度的差值的絕對(duì)值小于或等于半個(gè)該絕緣層的該厚度。

8.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，該第一基板結(jié)構(gòu)具有與該上表面連接的一側(cè)表面，該軟性基板覆蓋該第一基板結(jié)構(gòu)的該上表面以及該側(cè)表面，且該軟性基板具有一第一彎折部，其中該第一彎折部具有一彎折曲率半徑，且該彎折曲率半徑介于0至100微米之間。

9.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，該第一基板結(jié)構(gòu)包含一第一基板與一膠體，其中該膠體設(shè)置于該第一表面與該第一基板的一側(cè)表面之間。

10.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，該軟性基板具有遠(yuǎn)離該第一基板結(jié)構(gòu)的該第二表面，該第一凹槽與該軟性基板的該第二表面的最鄰近處具有一第一凹槽頂點(diǎn)，且該第一凹槽與該第一表面的連接處具有一第一開口端點(diǎn)及一第二開口端點(diǎn)，其中該第一開口端點(diǎn)與該第一凹槽頂點(diǎn)的一連線以及該第二開口端點(diǎn)與該第一凹槽頂點(diǎn)的一連線之間形成一夾角，其中該夾角介于90度至180度之間。