[發明專利]一種基于等離子體流動控制的寬域超聲速進氣道

在審

• 申請號: 201811254984.0
• 申請日: 2018-10-26
• 公開（公告）號: CN109606707A
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 邵慶齡;孫波
• 申請（專利權）人: 南京理工大學
• 主分類號: B64D33/02
• 分類號: B64D33/02
• 代理公司: 南京理工大學專利中心 32203
• 代理人: 張祥

1.一種基于等離子體流動控制的寬速域超聲速進氣道(1)，其特征在于，包括進氣道主體(13)和整流罩(14)，所述進氣道主體(13)和整流罩(14)之間形成進氣通道，所述進氣道主體(13)前端表面設有表面電弧放電等離子體激勵裝置(2)。

2.根據權利要求1所述的基于等離子體流動控制的寬速域超聲速進氣道(1)，其特征在于，所述進氣道主體(13)的前部為進氣道彎曲壁面(3)。

3.根據權利要求2所述的基于等離子體流動控制的寬速域超聲速進氣道(1)，其特征在于，整流罩(14)前端與進氣道主體(13)之間形成進氣道唇口(4)，進氣道主體(13)前端后部與整流罩(14)之間形成進氣道喉道(7)，進氣道主體(13)的后端與整流罩(14)后部之間形成進氣道隔離段(8)。

4.根據權利要求2所述的基于等離子體流動控制的寬速域超聲速進氣道(1)，其特征在于，所述表面電弧放電等離子體激勵裝置(2)布置在所述進氣道彎曲壁面(3)的前端。

5.根據權利要求1-4任一項所述的寬速域超聲速進氣道(1)的壓縮面激波系的控制方法，其特征在于，當進氣道飛行馬赫數大于設計馬赫數時，開啟表面電弧放電等離子體激勵裝置(2)，表面電弧放電等離子體激勵裝置(2)能夠在進氣道彎曲壁面(3)上的激勵區產生高溫等離子體層(11)，形成虛擬型面，增強虛擬型面前緣激波(12)，推動進氣道壓縮面外壓激波系(9)向外偏轉，從而使得壓縮面外壓激波系(9)重新封口。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述設計馬赫數為馬赫4。