[發(fā)明專利]真空斷路器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811251126.0
• 申請(qǐng)日: 2018-10-25
• 公開（公告）號(hào): CN109637882A
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 艾紹貴;劉志遠(yuǎn);王川;黃永寧;姚曉飛;樊益平;張國(guó)勇;張冉;擺存曦;張爽;虞江華;田蓓;張漢花;任勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 國(guó)網(wǎng)寧夏電力有限公司電力科學(xué)研究院;西安交通大學(xué);安徽徽電科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01H33/66
• 分類號(hào): H01H33/66;H01H33/664;H01H33/666
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 趙囡囡;董文倩

本發(fā)明公開了一種真空斷路器。其中，該真空斷路器包括：真空滅弧室，其中，所述真空滅弧室內(nèi)部設(shè)置有靜觸頭和動(dòng)觸頭；所述真空滅弧室外部設(shè)置有自力靜觸頭和自力動(dòng)觸頭；在真空斷路器合閘時(shí)，電流分別從所述真空滅弧室中所述靜觸頭和所述動(dòng)觸頭所在的第一通道，所述自力靜觸頭和所述自力動(dòng)觸頭所在的第二通道流過(guò)，并傳輸至所述真空斷路器的下導(dǎo)電座。本發(fā)明解決了相關(guān)技術(shù)中真空斷路器容易出現(xiàn)由于電流過(guò)高導(dǎo)致溫度升高超出預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)的情況的技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及斷路器技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種真空斷路器。

背景技術(shù)

在相關(guān)技術(shù)中，真空斷路器在額定電流條件下的溫升控制問(wèn)題制約著真空斷路器額定電流水平的提高。真空斷路器合閘狀態(tài)下導(dǎo)通額定電流時(shí)，真空滅弧室內(nèi)部動(dòng)觸頭、靜觸頭及相關(guān)導(dǎo)電部件成為發(fā)熱源，其中，由于動(dòng)、靜觸頭接觸電阻占滅弧室導(dǎo)電回路總電阻的比例較大，因而其是真空斷路器的主要發(fā)熱源，當(dāng)前真空滅弧室內(nèi)部散熱方式為熱傳導(dǎo)及熱輻射，其中熱傳導(dǎo)占主要比重。當(dāng)線路電流大于斷路器額定電流時(shí)，真空斷路器極易出現(xiàn)溫升超標(biāo)現(xiàn)象。

并且，真空斷路器額定電流水平的提高與其開斷能力的提高相矛盾，真空斷路器的觸頭接觸形式采用平板電極對(duì)接形式，為保證其額定短路電流開斷能力，其電極多用橫向磁場(chǎng)或縱向磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)。此種電極結(jié)構(gòu)必然會(huì)造成滅弧室回路電阻的增加，導(dǎo)致其額定電流水平下溫升情況較嚴(yán)峻，并最終制約其額定電流水平的提高。

針對(duì)上述的問(wèn)題，目前尚未提出有效的解決方案。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種真空斷路器，以至少解決相關(guān)技術(shù)中真空斷路器容易出現(xiàn)由于電流過(guò)高導(dǎo)致溫度升高超出預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)的情況的技術(shù)問(wèn)題。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)方面，提供了一種真空斷路器，該真空斷路器包括：真空滅弧室，其中，所述真空滅弧室內(nèi)部設(shè)置有靜觸頭和動(dòng)觸頭；所述真空滅弧室外部設(shè)置有自力靜觸頭和自力動(dòng)觸頭；在真空斷路器合閘時(shí)，電流分別從所述真空滅弧室中所述靜觸頭和所述動(dòng)觸頭所在的第一通道，所述自力靜觸頭和所述自力動(dòng)觸頭所在的第二通道流過(guò)，并傳輸至所述真空斷路器的下導(dǎo)電座。

進(jìn)一步地，所述真空斷路器還包括：靜導(dǎo)電桿，與所述真空滅弧室的上部連接；上導(dǎo)電座，與所述自力靜觸頭和所述靜導(dǎo)電桿電氣聯(lián)接。

進(jìn)一步地，在所述上導(dǎo)電座與所述自力靜觸頭之間連接有金屬導(dǎo)電材料，其中，所述金屬導(dǎo)電材料設(shè)置在所述第二通道內(nèi)。

進(jìn)一步地，在所述金屬導(dǎo)電材料、所述自力靜觸頭和所述自力動(dòng)觸頭的外部，所述真空斷路器的高壓套管內(nèi)部填充有電絕緣流體介質(zhì)。

進(jìn)一步地，所述電絕緣流體介質(zhì)包括下述至少之一：六氟化硫SF6氣體、硅油、礦物油、變壓器油。

進(jìn)一步地，所述真空斷路器還包括：動(dòng)導(dǎo)電桿，與所述真空滅弧室的下部連接；觸指座，與所述動(dòng)導(dǎo)電桿電氣連接；下導(dǎo)電座，與所述動(dòng)觸頭滑動(dòng)電氣連接，并支持所述觸指座；觸頭簧傳動(dòng)裝置，與所述動(dòng)觸頭和所述動(dòng)導(dǎo)電桿固定連接。

進(jìn)一步地，在分閘時(shí)，所述自力靜觸頭和所述自力動(dòng)觸頭之間的第一絕緣距離值大于所述真空滅弧室內(nèi)部的所述靜觸頭和所述動(dòng)觸頭之間的第二絕緣距離值。

進(jìn)一步地，所述真空斷路器執(zhí)行合閘動(dòng)作時(shí)，在第一時(shí)間點(diǎn)，所述觸頭簧傳動(dòng)裝置執(zhí)行壓縮操作，所述真空滅弧室內(nèi)的動(dòng)觸頭向上運(yùn)動(dòng)，以在第二時(shí)間點(diǎn)使所述動(dòng)觸頭與所述靜觸頭接觸，且在第三時(shí)間點(diǎn)使得所述自力動(dòng)觸頭與所述自力靜觸頭接觸，其中，所述第二時(shí)間點(diǎn)大于所述第一時(shí)間點(diǎn)，所述第三時(shí)間點(diǎn)大于所述第二時(shí)間點(diǎn)；所述真空斷路器執(zhí)行分閘動(dòng)作時(shí)，在第四時(shí)間點(diǎn)，所述自力動(dòng)觸頭與所述自力靜觸頭接觸分離，并在第五時(shí)間點(diǎn)，所述真空滅弧室內(nèi)的動(dòng)觸頭與所述靜觸頭分離，其中，所述第五時(shí)間點(diǎn)大于所述第四時(shí)間點(diǎn)。

進(jìn)一步地，所述自力靜觸頭與所述真空滅弧室之間設(shè)置固體絕緣材料，且所述自力動(dòng)觸頭與所述真空滅弧室之間設(shè)置固體絕緣材料。