[發明專利]一種存儲控制方法、裝置、設備和計算機存儲介質

在審

• 申請號: 201811250778.2
• 申請日: 2018-10-25
• 公開（公告）號: CN111104045A
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 程晨;曾文琪;王思宇;葉聯渲
• 申請（專利權）人: 深圳市中興微電子技術有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

本發明實施例提供了一種存儲控制方法、裝置、設備和計算機存儲介質，所述方法包括：在存儲設備的存儲區域中，確定出采用SLC模式的SLC區域和采用XLC模式的XLC區域；當所述SLC區域發生垃圾回收或SLC區域資源不足時，需要根據數據在SLC中存在的年齡、回收次數等屬性聯合判斷，選擇SLC區域中合理的物理塊進行數據遷出，同時選擇SLC或XLC區域相應條件的物理塊作為數據遷移目標物理塊，將SLC區域有效數據遷移至目標物理塊中；所述SLC區域的任意一個物理塊被擦除時，將被擦除的物理塊采用的模式配置為XLC模式，將所述XLC區域中擦除次數最小的空物理塊采用的模式配置為SLC模式。

技術領域

本發明實施例涉及但不限于及NAND-Flash存儲控制技術，尤其涉及一種存儲控制方法、裝置、設備和計算機存儲介質，可以用于實現NAND-Flash閃存轉換層的設計。

背景技術

伴隨著云計算、物聯網、大數據和高性能計算等新型服務和應用的蓬勃發展，數據訪問的需求提到了空前高度，這給數據存儲帶來了巨大的挑戰。NAND-Flash存儲相對于硬盤存儲來說局域許多明顯的優勢，例如讀取速度快、并發性強、功耗低、體積小、耐沖擊性好等優點，已經被廣泛應用于移動消費設備領域，乃至企業級存儲系統中。例如便攜式存儲安全數碼卡(Secure Digital Memory Card，SD卡)、手機內部存儲eMMC(Embedded MultiMedia Card)卡和UFS(Universal Flash Storage)卡等，都是基于NAND-Flash存儲技術的產品。

NAND-Flash存儲是一種非易失性存儲介質，它的基本存儲單元為“Cell”，M個Cell組成一個物理頁(page)，N個物理頁組成一個物理塊(block)，K個物理塊塊組成一個面(plane)，多個面組成一個器件(device)，這里，M、N和K均可以表示正整數。NAND-Flash還有其獨特的讀寫擦除操作要求：1)寫和讀操作按照物理頁為單位；2)不可以覆蓋寫，一個物理頁需要擦除以后才能再寫，所以更新同一用戶邏輯地址上的數據需要進行異地更新(寫在不同的物理頁上)；3)擦除按照物理塊為單位，一次性會擦除一個物理塊上所有數據；4)每個物理塊有擦除壽命，不可無限次擦除，需要盡可能的使各塊擦除次數平均，以獲得更高的器件壽命。

源于這些獨特的操作要求，NAND-Flash需要有額外的存儲控制技術來使其更加適合實際的應用。然而相關技術中，針對NAND-Flash存儲設備的存儲控制技術并不能有效地均衡各個物理塊的擦除次數，導致NAND-Flash存儲設備的使用壽命較低。

發明內容

本發明實施例提供了一種存儲控制方法、裝置、設備和計算機存儲介質，能夠有效地均衡單層式存儲(Single Level Cell，SLC)區域和非單層式存儲(XLC)區域的擦除次數。

為達到上述目的，本發明實施例的技術方案是這樣實現的：

本發明實施例提出了一種存儲控制方法，所述方法包括：

在存儲設備的存儲區域中，確定出采用單層式存儲SLC模式的SLC區域和采用非單層式存儲XLC模式的XLC區域；

所述SLC區域的任意一個物理塊被擦除時，將被擦除的物理塊采用的模式配置為XLC模式，將所述XLC區域中擦除次數最小的空物理塊采用的模式配置為SLC模式。

本發明實施例還提出了一種存儲控制裝置，所述裝置包括確定單元和處理單元；其中，

確定單元，用于在存儲設備的存儲區域中，確定出采用單層式存儲SLC模式的SLC區域和采用非單層式存儲XLC模式的XLC區域；

處理單元，用于在所述SLC區域的任意一個物理塊被擦除時，將被擦除的物理塊采用的模式配置為XLC模式，將所述XLC區域中擦除次數最小的空物理塊采用的模式配置為SLC模式。