[發明專利]一種掩膜版制作工藝

在審

• 申請號: 201811250051.4
• 申請日: 2018-10-25
• 公開（公告）號: CN109407462A
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發明（設計）人: 鄭躍勇;劉斌
• 申請（專利權）人: 寧波微迅新材料科技有限公司
• 主分類號: G03F1/68
• 分類號: G03F1/68
• 代理公司: 寧波市鄞州甬致專利代理事務所(普通合伙) 33228
• 代理人: 李迎春

本發明公開了一種掩膜版制作工藝，包括如下步驟：S1、涂膠：提供一光學高分子PC復合板材，在所述光學高分子PC復合板材表面旋涂抗反射中性密著層，在所述抗反射中性密著層上旋涂中性UV光刻膠；S2、光刻：通過光刻直寫掩膜機對中性UV光刻膠進行激光曝光；S3、顯影：將光刻后的光學高分子PC復合板材置于一顯影槽進行浸泡顯影，所述顯影槽內設有顯影液；S4、堅膜。本發明采用光學高分子PC復合板材來制作掩膜版相比于傳統的玻璃制作，大大降低了其制作的周期。

技術領域

本發明涉及掩膜版制作領域，特別涉及一種掩膜版制作工藝。

背景技術

現有的掩膜版制作大多是在玻璃上進行的，通過多次電鍍膜來制作掩膜版，再在其上制作工藝圖案，但這種會有明顯的凸起，較容易磨損。玻璃制品都是在玻璃表面涂上薄膜層，再通過光刻膠作為掩膜對玻璃上不需要的薄膜層進行腐蝕，形成圖案。而且采用玻璃制作，其成本較高，也較容易損壞。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是：提供一種掩膜版制作工藝，通過改變掩膜版底板的材料來降低成本和制作周期。

本發明解決上述問題所采用的技術方案為：一種掩膜版制作工藝，包括如下步驟：

S1、涂膠：提供一光學高分子PC復合板材，在所述光學高分子PC復合板材表面旋涂抗反射中性密著層，在所述抗反射中性密著層上旋涂中性UV光刻膠；

S2、光刻：通過光刻直寫掩膜機對中性UV光刻膠進行激光曝光；

S3、顯影：將光刻后的光學高分子PC復合板材置于一顯影槽進行浸泡顯影，所述顯影槽內設有顯影液；

S4、堅膜。

優選的，所述UV光刻膠由中性UV油、光刻膠和助劑按照4:5:1的比例混合而成。

優選的，在所述步驟S1中，包括如下步驟：

S11、提供一光學高分子PC復合板材；

S12、在所述光學高分子PC復合板材上涂抹抗反射中性密著層，通過自然流平方式使抗反射中性密著層平鋪至整個光學高分子PC復合板材上；

S13、待所述抗反射中性密著層晾干后，在其上涂抹中性UV光刻膠，通過旋轉甩平方式將中性UV光刻膠平鋪在抗反射中性密著層上；

S14、進行烘烤固化。

這樣，在涂膠工藝中，能夠保證每層膠都能夠均勻覆蓋，再通過最后的烘烤使各層之間緊密連接。

優選的，在步驟S14中，將涂抹處理后的所述光學高分子PC復合板材置于100-110℃中烘烤10-25min，進行固化，使各層之間緊密連接。

優選的，在所述步驟S3中，光刻后的所述高分子PC復合板材傾斜置于顯影槽。相比于傳統的直接水平放入顯影液，采用傾斜放置于顯影槽，便于顯影。

優選的，所述顯影液包括氫氧化鈉、助劑和活性水。

優選的，在步驟S4中，所述堅膜采用烘烤堅膜，烘烤溫度為100-110℃，烘烤時間為15-30min。這樣，在密閉的無塵環境下，進行烘烤，使堅膜效果更好。

與現有技術相比，本發明的優點在于：采用光學高分子PC復合板材來制作掩膜版相比于傳統的玻璃制作，大大降低了其制作的周期；通過改進相應的抗反射中性密著層和中性UV光刻膠的主要組成成分，使其具備較強的粘性，讓抗反射中性密著層能夠粘接在光學高分子PC復合板材上，同時中性UV光刻膠能夠粘接在抗反射中性密著層。

附圖說明

圖1本發明光刻直寫前結構示意圖；

圖2本發明掩膜版結構示意圖。