[發明專利]發光元件

有效

• 申請號: 201811247729.3
• 申請日: 2018-10-25
• 公開（公告）號: CN109935671B
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 蔡佳珍;郭得山;李奇霖;卓亨穎;歐震;陳俊揚
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/22
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種發光元件，該發光元件包含：一第一半導體層；一第二半導體層，位于第一半導體層上；一第三半導體層，位于該第二半導體層上；一活性層，位于第二半導體層及第三半導體層之間；一暴露區，穿過第三半導體層及活性層，暴露出第一半導體層的一第一表面以及第二半導體層的一第二表面；以及一第一電極，位于暴露區中，且接觸第一表面及第二表面；其中，第一半導體層與第二半導體層具有不同阻值。

技術領域

本發明涉及一種發光裝置，尤其是涉及一種具有高亮度的發光元件。

背景技術

發光二極管(light-emitting diode,LED)為P型半導體與N型半導體所組成的光電元件，通過P-N結(接面)上載流子的結合放出光線，加上具有體積小、低耗電量、壽命長、反應速度快等優點，廣泛地使用于光學顯示裝置、交通號志、資料存儲裝置、通訊裝置、照明裝置與醫療器材等。

發明內容

一種發光元件，包含：一第一半導體層；一第二半導體層，位于第一半導體層上；一第三半導體層，位于該第二半導體層上；一活性層，位于第二半導體層及第三半導體層之間；一暴露區，穿過第三半導體層及活性層，暴露出第一半導體層的一第一表面以及第二半導體層的一第二表面；以及一第一電極，位于暴露區中，且接觸第一表面及第二表面；其中，第一半導體層與第二半導體層具有不同阻值。

附圖說明

圖1A至圖1D為本發明一實施例的發光元件1的示意圖。

圖2A至圖2B為本發明另一實施例的發光元件2的示意圖。

圖3A至圖3B為本發明另一實施例的發光元件3的示意圖。

圖4A至圖4C為本發明另一實施例的發光元件4的示意圖。

圖5A至圖5B為本發明另一實施例的發光元件5的示意圖。

圖6為本發明一實施例的發光裝置6的示意圖。

圖7為本發明另一實施例的發光裝置7的示意圖。

主要元件符號說明

1、2、3、4、5 發光元件

6、7 發光裝置

10 基板

10a 上表面

10b 下表面

101 圖案化結構

11 側邊

12 短邊

13 長邊

18 透明導電層

18a 透明導電層的開口

20 半導體結構

201 第一半導體層

202 第二半導體層

203 第三半導體層

204 活性層

30 第一電極