[發明專利]用于制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201811247487.8
• 申請日: 2018-10-25
• 公開（公告）號: CN109841593B
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 黃玉蓮;李再春;林煥哲;陳煌明;吳泱澄;楊政樺
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/528;H01L29/78;H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種圖案化襯底上的層的方法，包括：

在所述層上方形成第一掩模層；

在所述第一掩模層上方形成第二掩模層；

在所述第二掩模層上方形成光刻膠層；

使用光刻工藝來圖案化所述光刻膠層；

使用所述光刻膠層作為掩模來蝕刻所述第二掩模層以在所述第二掩模層中形成蝕刻部件；

對所述蝕刻部件的蝕刻側表面實施成角度蝕刻以通過增加所述蝕刻部件的長度而沒有改變所述蝕刻部件的寬度來修改所述部件，在進行所述修改所述部件的過程中，所述蝕刻部件的內周側壁始終保持暴露狀態；以及

使用所述第二掩模層作為掩模來蝕刻所述第一掩模層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述光刻工藝是極紫外(EUV)光刻工藝，

其中，修改所述蝕刻部件之前所述蝕刻部件的端至端距離小于65nm，修改所述蝕刻部件之后所述端至端距離被減小至小于30nm。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，實施所述成角度蝕刻工藝包括：

將離子束引向所述襯底的頂面，其中，包括所述離子束的平面平行于所述部件的沿著所述蝕刻部件的長度的側壁平面。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述離子束具有相對于垂直于所述襯底的頂面的z軸的撞擊角度。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述撞擊角度介于10度至30度之間。

6.根據權利要求3所述的方法，其中，所述離子束是覆蓋所述襯底的寬度的離子束帶。

7.根據權利要求3所述的方法，其中，所述離子束是覆蓋所述襯底的整個頂面的體離子束。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述蝕刻部件的長度增加20nm至30nm。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，所述層是形成在FinFET器件結構上方的層間介電層。

10.一種形成半導體器件的方法，包括：

在FinFET結構的柵極結構上方形成層間介電層；以及

圖案化所述層間介電層以在所述層間介電層中形成接觸開口，包括：

圖案化所述層間介電層上方的硬掩模層以在所述硬掩模層中形成第一圖案，其中，所述第一圖案包括沿著線對準的兩個或多個蝕刻的單向部件，所述兩個或多個蝕刻的單向部件具有為第一值的端至端距離；以及

實施成角度蝕刻以增加所述兩個或多個蝕刻的單向部件的長度，而從形成所述第一圖案至所述成角度蝕刻完成的期間不改變所述兩個或多個單向部件的寬度，從而將所述端至端距離從所述第一值減小至第二值，在實施成角度蝕刻的過程中，所述兩個或多個蝕刻的單向部件的內周側壁始終保持暴露狀態。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，實施所述成角度蝕刻工藝包括：

將離子束引向所述硬掩模層的頂面，其中，包括所述離子束的平面平行于所述部件的沿著所述部件的長度的側壁平面。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述離子束具有相對于垂直于所述硬掩模層的頂面的z軸的撞擊角度。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，所述撞擊角度介于10度至30度之間。

14.根據權利要求12所述的方法，還包括：根據所述部件的高寬比來選擇撞擊角度。

15.根據權利要求10所述的方法，其中，所述部件的長度增加了20nm至30nm。

16.根據權利要求10所述的方法，其中，通過極紫外(EUV)光刻工藝來實施圖案化所述掩模層。