[發(fā)明專利]一種防靜電防液納米涂層及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811245283.0
• 申請日: 2018-10-24
• 公開（公告）號: CN109267041B
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發(fā)明（設計）人: 宗堅
• 申請（專利權）人: 江蘇菲沃泰納米科技有限公司
• 主分類號: C23C16/513
• 分類號: C23C16/513;C23C16/517;C08F120/24;C08F138/00
• 代理公司: 北京邦創(chuàng)至誠知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11717
• 代理人: 吳強

1.一種防靜電防液納米涂層，其特征在于，將基材暴露于單體蒸汽氛圍中，通過等離子體放電在基材表面發(fā)生化學反應形成保護涂層；

所述單體蒸汽包括：單體1和單體2；

所述單體1具有式(I)或式(II)所示結構；

所述單體2具有共軛結構；

單體1結構式如下：

或，

其中，R¹、R²、R³、R⁵獨立地選自氫、烷基、芳基、鹵素或鹵代烷基，R⁴、R⁶選自F或者具有如下結構的基團：

-C_xH_yF_2x+1-y、-COO-C_xH_yF_2x+1-y或者-COO-C_xH_y(OH)_zF_2x+1-y-z；

x為1-20的整數(shù)，y為0-41的整數(shù)，z為0-20的整數(shù)；

具有共軛結構的單體2為乙炔衍生物、環(huán)辛四烯衍生物、吡咯衍生物、苯胺衍生物、苯、苯硫醚或喹啉；

所述防靜電防液納米涂層采用如下步驟制備：

(1)將基材置于等離子體室的反應腔體內(nèi)，反應腔體內(nèi)真空為1毫托-100托；

(2)通入等離子體源氣體，開啟沉積用等離子體放電，將所述單體蒸汽導入反應腔體進行化學氣相沉積反應；

(3)關閉沉積用等離子體放電，通入潔凈的壓縮空氣或者惰性氣體，腔體恢復至常壓，打開反應腔體，取出基材；

所述等離子體室反應腔體的溫度控制在30-60℃；所述單體2占所述單體蒸汽的摩爾量比不超過50％；步驟(2)中所述單體1和/或所述單體2的汽化溫度為60℃-150℃，且是減壓汽化；所述單體1和/或所述單體2是在真空度為0.1毫托-100托的條件下進行汽化。

2.根據(jù)權利要求1所述的防靜電防液納米涂層，其特征在于，R¹、R²、R³、R⁵為氫、甲基或氟。

3.根據(jù)權利要求1所述的防靜電防液納米涂層，其特征在于，x為2-15的整數(shù)，y為0-20的整數(shù)，z為0-2的整數(shù)。

4.根據(jù)權利要求1所述的防靜電防液納米涂層，其特征在于，所述等離子體源氣體為氦氣，等離子體源氣體通入所述反應腔體時的流量為1-500sccm。

5.根據(jù)權利要求1所述的防靜電防液納米涂層，其特征在于，所述單體1和單體2同時通入所述反應腔體；或者，所述單體1和單體2分別先后通入所述反應腔體。

6.根據(jù)權利要求1所述的防靜電防液納米涂層，所述等離子體放電方式為射頻放電、微波放電、中頻放電、潘寧放電或電火花放電。

7.根據(jù)權利要求1所述的防靜電防液納米涂層，其特征在于，所述等離子體放電方式為微波放電，頻率為500MHz-300KMHz；等離子體放電時間為10s-14400s。