[發明專利]線圈組件

有效

• 申請號: 201811244703.3
• 申請日: 2018-10-24
• 公開（公告）號: CN109903967B
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 文聲敏;金澈淳;金愉鐘;金東珉;崔令到;許泰寧
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01F27/28
• 分類號: H01F27/28;H01F27/32
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 祝玉媛;王慧敏

1.一種線圈組件，包括：

主體，包括包含通孔的支撐構件、設置在所述支撐構件上并且包括第一開口圖案的第一絕緣層、設置在所述第一絕緣層上并且包括第二開口圖案的第二絕緣層以及包括填充在所述第一開口圖案和所述第二開口圖案中的線圈圖案的線圈；以及

外電極，設置在所述主體的外表面上，

其中，所述線圈圖案具有下表面的線寬比與所述下表面相對的上表面的線寬窄的T形截面，并且具有包括多個層的堆疊結構，

所述多個層包括與所述支撐構件接觸的薄膜導體層，所述薄膜導體層延伸到所述第一開口圖案的整個下表面和所述第一開口圖案的側表面的至少一部分，并且

其中，所述多個層還包括設置在所述薄膜導體層上的基體層，所述基體層的上表面低于所述第一絕緣層的上表面。

2.根據權利要求1所述的線圈組件，其中，設置在所述第一開口圖案的側表面上的所述薄膜導體層的高度小于所述第一絕緣層的高度。

3.根據權利要求1所述的線圈組件，其中，所述多個層還包括鍍層，所述鍍層設置在所述第二開口圖案中，所述鍍層的一部分延伸到所述第一開口圖案中并與所述基體層接觸。

4.根據權利要求1所述的線圈組件，其中，所述支撐構件還包括通路孔。

5.根據權利要求4所述的線圈組件，其中，所述通路孔的側表面完全被所述薄膜導體層包圍。

6.根據權利要求5所述的線圈組件，其中，所述薄膜導體層延伸到所述支撐構件的上表面和下表面的與所述通路孔連接的部分。

7.根據權利要求1所述的線圈組件，其中，所述支撐構件的厚度在大于等于10μm且小于60μm的范圍內。

8.根據權利要求1所述的線圈組件，其中，所述第一絕緣層的厚度在5μm至20μm的范圍內。

9.根據權利要求1所述的線圈組件，其中，所述第二絕緣層的厚度在100μm至300μm的范圍內。

10.根據權利要求1所述的線圈組件，其中，所述第一絕緣層的線寬在15μm至100μm的范圍內，并且所述第二絕緣層的線寬在5μm至20μm的范圍內。

11.根據權利要求1所述的線圈組件，其中，所述主體包含磁性材料，并且所述磁性材料包封所述線圈。

12.根據權利要求11所述的線圈組件，其中，所述支撐構件的所述通孔包括所述磁性材料。

13.根據權利要求1所述的線圈組件，所述線圈組件還包括設置在所述線圈圖案的上表面上的第三絕緣層。

14.根據權利要求13所述的線圈組件，其中，所述第三絕緣層覆蓋所述線圈圖案的整個所述上表面。

15.根據權利要求13所述的線圈組件，其中，所述第三絕緣層具有平坦的形狀。

16.根據權利要求13所述的線圈組件，其中，所述第三絕緣層包圍所述線圈圖案的所述上表面、所述第二絕緣層的上表面以及所述支撐構件的一個表面的至少一部分。

17.根據權利要求16所述的線圈組件，其中，所述第三絕緣層的厚度在1μm至10μm的范圍內。

18.根據權利要求1所述的線圈組件，其中，所述薄膜導體層是鍍層。

19.根據權利要求1所述的線圈組件，其中，在所述線圈組件的厚度方向的截面圖中，所述基體層的所述上表面呈弧形。

20.根據權利要求1所述的線圈組件，其中，所述基體層包含導電材料。