[發明專利]半導體器件的制造方法

在審

• 申請號: 201811244555.5
• 申請日: 2018-10-24
• 公開（公告）號: CN111092014A
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: 劉少鵬;劉瑞盛;邵云亮;蔣信
• 申請（專利權）人: 中電海康集團有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L21/3213
• 代理公司: 北京蘭亭信通知識產權代理有限公司 11667
• 代理人: 趙永剛

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底具有形成在其上的待刻蝕材料層，所述待刻蝕材料層上方覆蓋有第一硬掩膜層，所述第一硬掩膜層上方具有犧牲層；

在所述犧牲層中進行刻蝕形成開口，直至暴露出所述第一硬掩膜層；

在所述開口內回填絕緣介質，形成絕緣層；

進行無掩膜刻蝕，將所述絕緣層刻蝕掉，直至暴露出所述第一硬掩膜層；

在所述開口內回填金屬直至填充滿所述開口，形成第二硬掩膜層；

進行CMP剖光，使表面平整；

采用濕法腐蝕的方法去除所述犧牲層；

使用所述第二硬掩膜層作為硬掩膜，對所述第一硬掩膜層進行刻蝕；

使用所述第一硬掩膜層作為硬掩膜，對所述待刻蝕材料層進行刻蝕。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一硬掩膜層的材料為金屬Ta。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述犧牲層的材料為SiO₂。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，相對于所述襯底的主表面的法線，所述開口的側壁具有0°至2°的角度。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，回填的絕緣介質為SiO₂或者SiN，所述絕緣層的厚度為

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，回填的金屬為Ta或者W。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，進行CMP剖光時，磨掉的厚度為

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，濕法腐蝕使用的腐蝕劑包括HF或者BOE。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述待刻蝕材料層包括MTJ堆疊層、PRAM或者PCRAM。