[發明專利]晶體管及其制造方法、顯示基板、顯示裝置

在審

• 申請號: 201811243824.6
• 申請日: 2018-10-24
• 公開（公告）號: CN109390412A
• 公開（公告）日: 2019-02-26
• 發明（設計）人: 錢海蛟;楊成紹;黃寅虎;萬云海
• 申請（專利權）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張天舒

1.一種晶體管，包括：

基底；

設置在基底上的柵極；

設置在柵極的遠離基底一側的柵絕緣層；

設置在柵絕緣層的遠離基底一側的有源區，有源區包括同層設置的多晶硅區、第一非晶硅區和第二非晶硅區，其中，第一非晶硅區和第二非晶硅區分別連接多晶硅區的相對的兩個第一側面；

設置在多晶硅區的遠離基底一側的刻蝕阻擋層；

其特征在于，多晶硅區在刻蝕阻擋層所在平面的正投影不超出刻蝕阻擋層，且多晶硅區的至少一個第一側面在刻蝕阻擋層所在平面的正投影位于刻蝕阻擋層內部。

2.根據權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述多晶硅區在所述刻蝕阻擋層所在平面的正投影位于所述刻蝕阻擋層內部。

3.根據權利要求2所述的晶體管，其特征在于，所述晶體管還包括設置在所述第一非晶硅區遠離所述基底一側的第一重摻雜非晶硅區、設置在所述第二非晶硅區遠離所述基底一側的第二重摻雜非晶硅區。

4.根據權利要求3所述的晶體管，其特征在于，所述晶體管還包括設置在所述第一重摻雜非晶硅區的遠離所述基底一側的第一電極、設置在所述第二重摻雜非晶硅區的遠離所述基底一側的第二電極。

5.一種顯示基板，其特征在于，包括根據權利要求1-4任意一項所述的晶體管。

6.一種顯示裝置，其特征在于，包括根據權利要求5所述的顯示基板。

7.一種晶體管的制造方法，其特征在于，用于制造權利要求1-4任意一項所述的晶體管，該制造方法包括：

利用構圖工藝在所述基底上形成所述柵極；

形成覆蓋所述柵極的所述柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成第一層非晶硅，并使第一層非晶硅的部分區域轉換為所述多晶硅區，其中第一層非晶硅還用于形成所述第一非晶硅區和所述第二非晶硅區；

利用構圖工藝在第一層非晶硅上形成所述刻蝕阻擋層。

8.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，用于制造權3或4的晶體管，在形成所述刻蝕阻擋層后，該制造方法還包括：

在所述刻蝕阻擋層上沉積重摻雜的第二層非晶硅，其中，第二層非晶硅用以形成所述第一重摻雜非晶硅區和所述第二重摻雜非晶硅區。

9.根據權利要求8所述的制造方法，其特征在于，用于制造權4的晶體管，在形成所述第二層非晶硅后，該制造方法還包括：

在所述第二層非晶硅上形成導體層，其中，所述導體層用以形成所述第一電極和所述第二電極。

10.根據權利要求9所述的制造方法，其特征在于，在形成所述導體層后，利用一次光刻工藝對所述導體層、所述第二層非晶硅、所述第一層非晶硅進行刻蝕以形成所述第一電極、所述第二電極、所述第一重摻雜非晶硅區、所述第二重摻雜非晶硅區、所述第一非晶硅區、所述第二非晶硅區。