[發(fā)明專利]一種低功耗CMOS靜噪檢測(cè)器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811243641.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-10-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109459622B | 公開(公告)日: | 2021-02-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 虞致國;宋鑫宇;趙琳娜;顧曉峰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江南大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01R29/26 | 分類號(hào): | G01R29/26 |
| 代理公司: | 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
| 地址: | 214122 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 功耗 cmos 檢測(cè)器 | ||
1.一種低功耗CMOS靜噪檢測(cè)器,其特征在于,所述低功耗CMOS靜噪檢測(cè)器包括電平轉(zhuǎn)換器、比較器和輸出檢測(cè)器,所述電平轉(zhuǎn)換器的輸出端連接所述比較器的輸入端;所述比較器的輸出端連接所述輸出檢測(cè)器的輸入端,所述輸出檢測(cè)器的輸出端輸出靜噪檢測(cè)信號(hào);
所述電平轉(zhuǎn)換器包括基準(zhǔn)電流源電路、電流鏡電路和電平轉(zhuǎn)換電路;
所述基準(zhǔn)電流源電路,其輸出端連接電流鏡電路的輸入端,用于給電流鏡電路提供基準(zhǔn)電流IREF;
所述電流鏡電路,其輸出端連接電平轉(zhuǎn)換電路的輸入端,通過電流鏡作用,產(chǎn)生等于基準(zhǔn)電流IREF的第一支路電流I2和第二支路電路I3,并將所述第一支路電流I2和第二支路電路I3分別輸出給電平轉(zhuǎn)換電路的兩個(gè)輸入端,所述電平轉(zhuǎn)換電路的另外兩個(gè)輸入端分別連接差分輸入信號(hào)DPLUS和DMINUS,用于將差分輸入信號(hào)DPLUS和DMINUS轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)VA、VB、VC和VD并輸出給比較器,所述比較器用于分別比較電壓信號(hào)VA與VB,電壓信號(hào)VC與VD;根據(jù)兩個(gè)比較結(jié)果,所述輸出檢測(cè)器的輸出指示輸入是否為有效數(shù)據(jù)。
2.如權(quán)利要求1所述的低功耗CMOS靜噪檢測(cè)器,其特征在于,所述基準(zhǔn)電流源電路包括:第一MOS管M1、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管M10、第十一MOS管M11、第十二MOS管M12、第十三MOS管M13、第十四MOS管M14、第十五MOS管M15和第十六MOS管M16;所述M8的源極和M9的源極均連接電源電壓VCC,M8的柵極和M9的柵極相連并連接M10和M12的漏極,M8的漏極連接M10的源極,M10的柵極連接M11的柵極,M11的源極連接M9的漏極;M15的柵極連接參考電壓VREF,M14的源極和M15的源極均連接M16的漏極,所述M16的源極接地;M11的漏極和M13的漏極相連并連接M1的柵極,所述M13的柵極連接M12的柵極,M13的源極連接M15的漏極,所述M12的源極連接M14的漏極,M14的柵極依次連接第一電容C1和第八電阻R8后連接M1的柵極。
3.如權(quán)利要求2所述的低功耗CMOS靜噪檢測(cè)器,其特征在于,所述電流鏡電路包括:第二MOS管M2、第三MOS管M3;M1、M2、M3的柵極相連。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R29-00 不包括在G01R 19/00至G01R 27/00各組中的電量的測(cè)量或指示裝置
G01R29-02 .單個(gè)脈沖特性的測(cè)量,如脈沖平度的偏差、上升時(shí)間、持續(xù)時(shí)間
G01R29-04 .形狀因數(shù)的測(cè)量,即瞬時(shí)值的均方根值和算術(shù)平均值的商;峰值因數(shù)的測(cè)量,即最大值和均方根值的商
G01R29-06 .調(diào)制深度的測(cè)量
G01R29-08 .電磁場(chǎng)特性的測(cè)量
G01R29-12 .靜電場(chǎng)的測(cè)量
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