[發明專利]低勢壘高度肖特基二極管及其制備方法有效
| 申請號： | 201811243153.3 | 申請日： | 2018-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN109509705B | 公開（公告）日： | 2020-11-24 |
| 發明（設計）人： | 狄增峰;劉冠宇;張苗;薛忠營 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | H01L21/329 | 分類號： | H01L21/329;H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海泰能知識產權代理事務所(普通合伙) 31233 | 代理人： | 宋纓 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 勢壘高度 肖特基 二極管 及其 制備 方法 | ||
1.一種低勢壘高度肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述低勢壘高度肖特基二極管的制備方法包括如下步驟：
1)提供一基底；
2)于所述基底的表面形成石墨烯薄膜；
3)對所述石墨烯薄膜進行氟化處理以形成氟化石墨烯絕緣層；
4)于所述氟化石墨烯絕緣層表面沉積金屬電極，以于所述金屬電極與所述基底之間形成肖特基結；
5)去除所述肖特基結所在區域之外的所述氟化石墨烯絕緣層，并裸露出所述基底；
6)于裸露的所述基底表面形成歐姆接觸電極。
2.根據權利要求1所述的低勢壘高度肖特基二極管的制備方法，其特征在于，步驟1)中提供的所述基底包括鍺基底。
3.根據權利要求2所述的低勢壘高度肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述鍺基底包括N型鍺基底。
4.根據權利要求1所述的低勢壘高度肖特基二極管的制備方法，其特征在于，步驟2)中，采用化學氣相沉積法于所述基底的表面原位生長所述石墨烯薄膜。
5.根據權利要求1所述的低勢壘高度肖特基二極管的制備方法，其特征在于，步驟3)中，采用六氟化硫氣體對所述石墨烯薄膜進行等離子體氟化處理，以使得所述石墨烯薄膜全部轉換為氟化石墨烯絕緣層。
6.根據權利要求1所述的低勢壘高度肖特基二極管的制備方法，其特征在于，步驟5)中，采用電感耦合等離子體刻蝕工藝去除所述肖特基結所在區域之外的所述氟化石墨烯絕緣層。
7.一種低勢壘高度肖特基二極管，其特征在于，所述低勢壘高度肖特基二極管包括：
基底；
金屬電極，位于所述基底上，以于所述金屬電極與所述基底之間形成肖特基結；
氟化石墨烯絕緣層，位于所述基底的表面，且位于所述金屬電極與所述基底之間；
歐姆接觸電極，位于所述氟化石墨烯絕緣層所在區域之外的所述基底的表面。
8.根據權利要求7所述的低勢壘高度肖特基二極管，其特征在于，所述基底包括鍺基底。
9.根據權利要求8所述的低勢壘高度肖特基二極管，其特征在于，所述鍺基底包括N型鍺基底。
10.根據權利要求7所述的低勢壘高度肖特基二極管，其特征在于，所述金屬電極包括鈦/金電極。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
