[發明專利]具有減少的建立時間的圖像傳感器

有效

• 申請號: 201811243122.8
• 申請日: 2018-10-24
• 公開（公告）號: CN109728015B
• 公開（公告）日: 2023-10-24
• 發明（設計）人: 李宰圭;崔赫洵;金升埴
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N25/76
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種圖像傳感器，包括：

像素區域，其包括光電二極管和傳輸晶體管，所述傳輸晶體管被配置為將所述光電二極管中累積的電荷傳輸到浮置擴散區域；以及

晶體管區域，其與所述像素區域相鄰，包括第一晶體管、第二晶體管和第三晶體管，

其中所述第一晶體管的第一柵電極下方的第一柵極氧化物膜和所述第二晶體管的第二柵電極下方的第二柵極氧化物膜包括比所述傳輸晶體管的柵極氧化物膜薄的溝道氧化物膜。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述第一晶體管的所述溝道氧化物膜被所述第一柵電極完全覆蓋。

3.根據權利要求2所述的圖像傳感器：

其中所述第一晶體管包括源極區域和漏極區域以及溝道區域，所述源極區域和所述漏極區域在襯底的上部中位于所述第一柵電極的兩側，所述溝道區域在所述第一柵電極下方位于所述襯底的所述上部中；以及

其中所述第一晶體管的所述溝道氧化物膜設置在所述溝道區域中，或者沿著與從所述源極區域朝向所述漏極區域的長度方向垂直的寬度方向延伸出所述溝道區域。

4.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述第一柵極氧化物膜包括圍繞所述第一晶體管的所述溝道氧化物膜的外部氧化物膜，并且所述外部氧化物膜具有與所述傳輸晶體管的所述柵極氧化物膜的厚度基本相同的厚度。

5.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述第一晶體管的所述溝道氧化物膜的至少一部分從所述第一柵電極的側表面向外突出。

6.根據權利要求1所述的圖像傳感器：

其中所述第一晶體管包括源極區域和漏極區域以及溝道區域，所述源極區域和所述漏極區域在襯底的上部中位于所述第一柵電極的兩側，所述溝道區域在所述第一柵電極下方位于所述襯底的所述上部中；以及

其中所述第一晶體管的所述溝道氧化物膜沿著從所述源極區域朝向所述漏極區域的長度方向從所述第一柵電極的兩個側表面延伸、沿著垂直于所述長度方向的寬度方向從所述第一柵電極的兩個側表面延伸、或者沿著所述長度方向和所述寬度方向兩者從所述第一柵電極的兩個側表面延伸。

7.根據權利要求1所述的圖像傳感器：

其中所述第一晶體管包括源極區域和漏極區域以及溝道區域，所述源極區域和所述漏極區域在襯底的上部中位于所述第一柵電極的兩側，所述溝道區域在所述第一柵電極下方位于所述襯底的所述上部中；以及

其中所述溝道區域的頂表面低于所述源極區域和所述漏極區域的頂表面。

8.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述第一柵電極的與所述第一晶體管的所述溝道氧化物膜對應的部分向下突出。

9.根據權利要求1所述的圖像傳感器：

其中所述第一晶體管是源極跟隨器晶體管，所述第二晶體管是選擇晶體管，所述第三晶體管是復位晶體管；

其中所述復位晶體管、所述源極跟隨器晶體管和所述選擇晶體管由共用所述浮置擴散區域的光電二極管共用；以及

其中所述復位晶體管、所述源極跟隨器晶體管和所述選擇晶體管按所述復位晶體管、所述源極跟隨器晶體管和所述選擇晶體管的第一布置順序、或所述源極跟隨器晶體管、所述復位晶體管和所述選擇晶體管的第二布置順序布置在所述晶體管區域中。

10.根據權利要求9所述的圖像傳感器，其中按所述第二布置順序彼此相鄰的兩個源極跟隨器晶體管布置在所述晶體管區域中。

11.一種圖像傳感器，包括：

像素區域，其中布置有共用像素和傳輸晶體管，在所述像素區域中浮置擴散區域由至少兩個光電二極管共用，并且所述傳輸晶體管對應于所述至少兩個光電二極管；以及

晶體管區域，其與所述像素區域相鄰，并且在其中布置有與所述共用像素對應的第一晶體管、第二晶體管和第三晶體管，

其中所述第一晶體管的第一柵電極下方的第一柵極氧化物膜包括比所述傳輸晶體管的柵極氧化物膜薄的第一溝道氧化物膜。