[發(fā)明專利]一種聚酰亞胺納米涂層及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811242711.4 | 申請日: | 2018-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN109433543A | 公開(公告)日: | 2019-03-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 宗堅 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇菲沃泰納米科技有限公司 |
| 主分類號: | B05D1/00 | 分類號: | B05D1/00 |
| 代理公司: | 北京邦創(chuàng)至誠知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11717 | 代理人: | 吳強 |
| 地址: | 214183 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 聚酰亞胺 納米涂層 基材表面 制備 等離子體 納米聚合物涂層 化學(xué)氣相沉積 化學(xué)反應(yīng) 使用環(huán)境 涂層表面 成膜 二胺 二酐 基材 均一 暴露 | ||
1.一種聚酰亞胺納米涂層,其特征在于,將基材暴露于二酐和二胺的氛圍中,通過等離子體方法在基材表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成保護涂層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚酰亞胺納米涂層,其特征在于,所述的二酐選自均苯四甲酸酐、聯(lián)苯四甲酸二酐、單醚四甲酸二酐、三苯雙醚四甲酸二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐、吡嗪-1,2,4,5-四羧酸酐、3,4,9,10-四羧酸酐、雙環(huán)[2,2,2]辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐、1,2,4,5-環(huán)己四羧酸二酐、2,6-二溴萘-1,4,5,8-四羧酸二酐或三環(huán)[6.4.0.0(2,7)]十二烷-1,2,7,8-四甲酸二酐。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚酰亞胺納米涂層,其特征在于,所述的二胺選自對苯二胺、4,4’-二氨基聯(lián)苯醚、間苯二胺、亞甲基二苯胺、環(huán)己二胺、萘乙二胺、蒽基二胺衍生物、3-4-吡啶二胺、溴代鄰苯二胺、甲苯二胺、吡嗪-2,6-二胺、哌啶己二胺、4-氟鄰苯二胺、3,4-甲苯二胺、二苯基乙二胺、己二胺哌啶或4-氨基鄰苯二甲酸酐。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚酰亞胺納米涂層,其特征在于,所述基材為金屬、光學(xué)儀器、衣服織物、電子器件或醫(yī)療器械。
5.一種權(quán)利要求1-4任一項所述的聚酰亞胺納米涂層的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)將基材置于等離子體室的反應(yīng)腔體內(nèi),反應(yīng)腔體內(nèi)的真空度為0.1-1000毫托;
(2)通入等離子體源氣體,開啟沉積用等離子體放電,將二酐和二胺經(jīng)汽化后導(dǎo)入反應(yīng)腔體進行化學(xué)氣相沉積反應(yīng);
(3)關(guān)閉沉積用等離子體放電,通入潔凈的壓縮空氣或者惰性氣體恢復(fù)至常壓,打開腔體,取出基材。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的納米涂層的制備方法,其特征在于,所述二酐和二胺分別經(jīng)兩根管路引入所述反應(yīng)腔體;
或者,所述二酐和二胺混合后經(jīng)一根導(dǎo)管通入所述反應(yīng)腔體。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的納米涂層的制備方法,其特征在于,所述等離子體源氣體為氦氣、氬氣、氮氣和氫氣中的一種或者若干種的混合。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的納米涂層的制備方法,其特征在于,所述等離子體室反應(yīng)腔體的容積為1L-8000L;步驟(2)中,等離子體源氣體通入所述反應(yīng)腔體時的流量為5-1000sccm,通入單體蒸汽的流量為1-5000μL/min。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的納米涂層的制備方法,其特征在于,所述二酐和二胺比例為1:100-100:1。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的納米涂層的制備方法,其特征在于,所述步驟(2)中,在通入所述等離子體源氣體后以及在所述沉積用等離子體放電之前,還包括對基材進行預(yù)處理用等離子體放電工序。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的納米涂層的制備方法,其特征在于,所述預(yù)處理用等離子體放電的功率為2-500W,持續(xù)放電時間為1-3600s。
12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的納米涂層的制備方法,其特征在于,所述步驟(2)中,所述沉積用等離子體放電的功率為2-500W,持續(xù)放電時間為600-20000s。
13.根據(jù)權(quán)利要求5或者10所述的納米涂層的制備方法,其特征在于,所述等離子體放電的放電方式為射頻放電、微波放電、中頻放電、潘寧放電或電火花放電。
14.根據(jù)權(quán)利要求5或者10所述的納米涂層的制備方法,其特征在于,所述等離子體放電為脈沖式輸出,脈寬為10μs-50ms、重復(fù)頻率為20Hz-10kHz。
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