[發明專利]再生弱光柵陣列的制備方法及系統有效
| 申請號： | 201811242313.2 | 申請日： | 2018-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN109445018B | 公開（公告）日： | 2020-01-31 |
| 發明（設計）人： | 唐健冠;商福發;甘維兵;郭會勇;南秋明;劉芳;鄧艷芳;楊明紅 | 申請（專利權）人： | 武漢理工大學 |
| 主分類號： | G02B6/02 | 分類號： | G02B6/02 |
| 代理公司： | 42102 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 | 代理人： | 許美紅 |
| 地址： | 430070 湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光柵陣列 光纖 光柵 制備 再生 傳感陣列 反射率 高溫爐 焊點 高溫恒溫 高溫性能 解調系統 全自動化 溫度測量 壓力環境 制備過程 反射峰 反射譜 氫分子 下載 滲入 觀測 檢測 | ||
1.一種再生弱光柵陣列的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
將弱光柵陣列光纖在一定的壓力環境下載氫，直到氫分子的完全滲入弱光柵陣列光纖中；
將高溫爐升至光柵再生溫度900℃~1000℃，并保持穩定；
將載氫后的弱光柵陣列光纖快速插入高溫爐的高溫恒溫區；
觀測光柵的反射譜，當出現穩定的反射峰時，得到再生光纖。
2.根據權利要求1所述的再生弱光柵陣列的制備方法，其特征在于，所述弱光柵陣列光纖為使用摻鍺或硼鍺共摻的高敏光纖在線單脈沖制備而成的反射率為1%~2%的弱光柵陣列。
3.根據權利要求1所述的再生弱光柵陣列的制備方法，其特征在于，在弱光柵陣列光纖上打有光柵的標記點。
4.一種再生弱光柵陣列的制備系統，其特征在于，包括DSP控制器、解調儀、高溫爐、收纖盤、放纖盤、打標識別傳感器；
高溫爐預先加熱至光柵再生溫度900℃~1000℃，并保持穩定；
解調儀與DSP控制器連接；
放纖盤、收纖盤均與DSP控制器連接，且置于高溫爐兩側，弱光柵陣列光纖繞設在放纖盤和收纖盤上，并經過高溫爐的加熱高溫區和打標識別傳感器；且弱光柵陣列光纖上設有光柵的標記點；
打標識別傳感器置于高溫爐的兩側頂部，并均與DSP控制器連接，兩打標識別傳感器之間的距離為光纖上兩個標記點之間的距離；
放纖盤、收纖盤在DSP控制器的控制下工作，當打標識別傳感器同時識別到光纖上的標記點時，將信號發送到DSP控制器，DSP控制器向放纖盤和收纖盤發送停止信號，光柵被放置在高溫爐恒溫區進行再生；
解調儀實時監測光柵信息，并將采集到的數據發送到DSP控制器，DSP控制器處理光柵再生時中心波長處的反射譜信息，當反射譜達到所需強度并在設定時間內波動符合設置誤差時，則光柵完成再生，DSP控制器向放纖盤和收纖盤發送控制信號，繼續下一光柵再生。
5.根據權利要求4所述的再生弱光柵陣列的制備系統，其特征在于，弱光柵陣列光纖上設有反射率為1%~2%的弱光柵陣列。
6.根據權利要求4所述的再生弱光柵陣列的制備系統，其特征在于，高溫爐為馬弗爐。
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