[發明專利]一種指紋Coating層高精度LOGO制作方法及裝置在審
| 申請號: | 201811242021.9 | 申請日: | 2018-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN109216217A | 公開(公告)日: | 2019-01-15 |
| 發明(設計)人: | 劉國安;鄭國清 | 申請(專利權)人: | 江西合力泰科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/68;H01L23/544;G09F7/16 |
| 代理公司: | 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 湯東鳳 |
| 地址: | 343700 *** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靶標 分粒 指紋 制作 分塊 下夾具 偏位 絲印 裝夾 備用 激光切割機 工藝步驟 噴涂保護 分區線 涂底漆 大板 單粒 對位 固化 切割 分區 檢查 | ||
1.一種指紋涂層高精度LOGO制作方法,其包括以下工藝步驟:
(1)制作一大板IC封裝,大板IC封裝依據要求分塊;
(2)將分塊的IC封裝裝夾進行涂底漆、中漆;
(3)下夾具進行LOGO絲印;
(4)將絲印固化LOGO后的分塊IC封裝再裝夾進行噴涂保護層面漆;
(5)下夾具后用激光切割機進行分粒切割成單粒帶LOGO的指紋IC。
2.根據權利要求1所述的一種指紋涂層高精度LOGO制作方法,其特征在于,其中步驟(1)中IC封裝制作工藝具體為:
a.在來料大板上制作多個定位通孔,該定位通孔用于絲印時定位用及單粒IC切割定位用;
b.以大板中心軸作為分區線,每個大板設為A區與B區兩個分區,設計成可以分塊,并一分兩或一分多后對位標及產品重疊后是一致的;
c.從A區和B區的左上角開始對每個單粒PKG封裝進行排號,X向依次為1,2,3,4,5,6,7,8,9,A,B,C,D,Y向依次為1,2,3,4,5,6,7,8,9,A,B,C,D,通過排版角碼來區分單粒IC在大板上的唯一位置標識;
d.制作A-Mark分區靶標,A-Mark分區靶標有兩個,位于分區線處;
e.制作C-Mark分粒靶標,每區C-Mark分粒靶標有多個;
f.制作S-Mark備用分粒靶標,每區S-Mark備用分粒靶標有多個;
g.制作測試PAD焊盤,每區PAD焊盤有多個。
3.根據權利要求2所述的一種指紋涂層高精度LOGO制作方法,其特征在于,其中,每個A-Mark分區靶標包括兩個“L”型結構,“L”型結構關于分區線對稱;其中兩個C-Mark分粒靶標在X方向位置:位于第一列與第二列PKG封裝間距中心,且在Y方向位置:位于大板上下兩側;其中一個C-Mark分粒靶標在X方向位置:位于倒數第一列與倒數第二列PKG封裝間距中心,且位于大板下側;其中一個C-Mark在X方向位置:位于倒數第二列與倒數第三列PKG封裝間距中心,且位于大板上側;其中,兩個分區S-Mark備用分粒靶標與PKG封裝相對位置一致,S-Mark備用分粒靶標設于PKG封裝列與列之間,每2-3列設一組S-Mark備用分粒靶標,為了便于防呆,旋轉180°后S-Mark備用分粒靶標不能完全重復。
4.根據權利要求2所述的一種指紋涂層高精度LOGO制作方法,其特征在于,其中,絲印底座治具包括底座,底座為矩形結構,其一側面的中心部位設有矩形凹槽,用于放置IC大板,矩形凹槽內的上下兩側各設有多個定位柱,矩形凹槽外的上下兩側各設有一個拿手位。
5.根據權利要求4所述的一種指紋涂層高精度LOGO制作方法,其特征在于,其中,矩形凹槽的四個角部設有向矩形凹槽外側延伸的凹部,該凹部類似于正方形結構,正方形結構與矩形凹槽相連的一角為相連通結構;底座的另一側的中心部位設有抽真空凹槽,抽真空凹槽與矩形凹槽通過多個矩形陣列式抽真空通孔相連通。
6.根據權利要求5所述的一種指紋涂層高精度LOGO制作方法,其特征在于,底座中,定位柱為鋁合金材質,其余部分為紅色電木;絲印前將IC大板上的定位孔與絲印底座治具上的定位柱對齊,抽真空使IC大板平整。
7.根據權利要求6所述的一種指紋涂層高精度LOGO制作方法,其特征在于,單粒PKG封裝正面內呈異型結構的圖案。
8.根據權利要求7所述的一種指紋涂層高精度LOGO制作方法,其特征在于,所述異型結構的圖案為三角形、S型、五角星型或“M”型。
9.根據權利要求7所述的一種指紋涂層高精度LOGO制作方法,其特征在于,其中,單粒PKG封裝正面內呈“M”型結構的圖案,背面具有16個PAD焊盤,16個PAD焊盤呈4列,每列分別為2,6,6,2個PAD焊盤,具有6個PAD焊盤的兩列與“M”型結構的兩頂角大致位于同一直線上,或相差0.4mm以內的間距。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





