[發明專利]一種超快脈沖壓縮系統及制備方法

有效

• 申請號: 201811241958.4
• 申請日: 2018-10-24
• 公開（公告）號: CN109188732B
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發明（設計）人: 閆培光;陳浩;尹金德;邢鳳飛
• 申請（專利權）人: 深圳大學
• 主分類號: G02F1/01
• 分類號: G02F1/01;H01S3/00;H01S5/00
• 代理公司: 深圳市恒申知識產權事務所(普通合伙) 44312
• 代理人: 袁文英

1.一種超快脈沖壓縮系統，其特征在于，包括：硅表面絕緣襯底、高分子有機聚合物襯底、壓電陶瓷系統和低維層狀材料；

所述硅表面絕緣襯底的硅表面制備有波導和光柵耦合器；

所述高分子有機聚合物襯底與所述波導貼合，所述高分子有機聚合物襯底與所述波導之間包括有所述低維層狀材料，所述高分子有機聚合物襯底的兩端覆蓋在所述壓電陶瓷系統上；

所述壓電陶瓷系統通過高分子有機聚合物襯底對低維層狀材料提供均勻的橫向應力，從而調制光脈沖信號的脈沖寬度；

所述波導傳輸所述光脈沖信號；

所述光柵耦合器引導所述光脈沖信號進入所述波導，并以預設的輸出比將所述調制后的光脈沖信號輸出所述波導。

2.如權利要求1所述的超快脈沖壓縮系統，其特征在于，所述波導包括波導傳輸區和隔離區；

所述隔離區將所述波導劃分為N個所述波導傳輸區，N為大于1的整數；

所述光脈沖信號在所述波導傳輸區中傳輸。

3.如權利要求2所述的超快脈沖壓縮系統，其特征在于，所述波導傳輸區包括脈沖寬度調制區；

所述光脈沖信號在所述脈沖寬度調制區中傳輸并進行脈沖寬度調制。

4.如權利要求1至3任一項所述的超快脈沖壓縮系統，其特征在于，所述脈沖寬度調制區包括所述高分子有機聚合物襯底與所述波導貼合的區域。

5.如權利要求1所述的超快脈沖壓縮系統，其特征在于，所述光柵耦合器包括輸入耦合光柵和輸出耦合光柵；

所述輸入耦合光柵和所述輸出耦合光柵制備在所述波導兩側；

所述輸入耦合光柵將所述光脈沖信號耦合進入所述波導；

所述輸出耦合光柵以預設的輸出比，將所述調制后的光脈沖信號輸出所述波導。

6.如權利要求1所述的超快脈沖壓縮系統，其特征在于，所述高分子有機聚合物襯底包括通過高分子有機聚合物制備的薄膜。

7.如權利要求1所述的超快脈沖壓縮系統，其特征在于，所述壓電陶瓷系統包括兩個壓電陶瓷；

所述兩個壓電陶瓷分別設置在所述波導兩側。

8.如權利要求7所述的超快脈沖壓縮系統，其特征在于，所述壓電陶瓷系統還包括電平周期性調控裝置；

所述電平周期性調控裝置控制對所述壓電陶瓷提供周期性的電壓輸入，令所述壓電陶瓷周期性的橫向移動。

9.一種超快脈沖壓縮系統的制備方法，其特征在于，包括：

提供硅表面絕緣襯底、高分子有機聚合物襯底、壓電陶瓷系統和低維層狀材料；

在所述硅表面絕緣襯底的硅表面制備波導和光柵耦合器；

將所述高分子有機聚合物襯底與所述波導貼合，令所述高分子有機聚合物襯底與所述波導之間包括有所述低維層狀材料，同時，將所述高分子有機聚合物襯底的兩端覆蓋在所述壓電陶瓷系統上；

令所述壓電陶瓷系統通過高分子有機聚合物襯底對所述低維層狀材料提供均勻的橫向應力，從而調制光脈沖信號的脈沖寬度。

10.如權利要求9所述的超快脈沖壓縮系統的制備方法，其特征在于，所述在所述硅表面絕緣襯底的硅表面制備波導和光柵耦合器包括：

通過電子束曝光工藝或雙束刻蝕工藝，在所述硅表面絕緣襯底的硅表面制備符合光脈沖信號傳輸條件的所述波導和所述光柵耦合器。

11.如權利要求10所述的超快脈沖壓縮系統的制備方法，其特征在于，所述光柵耦合器包括輸入耦合光柵和輸出耦合光柵；

所述輸入耦合光柵和所述輸出耦合光柵制備在所述波導兩側。