[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811241505.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-10-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109801967A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-05-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 謝東伯;劉書豪;劉虹志;黃凈惠;黃玠瑝;譚倫光;張惠政;陳亮吟;陳國(guó)儒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L29/78 | 分類號(hào): | H01L29/78;H01L27/088;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 黃艷 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 源極/漏極 接觸插塞 柵極結(jié)構(gòu) 插塞 通孔 鰭結(jié)構(gòu) | ||
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),包括:
一柵極結(jié)構(gòu),位于一鰭結(jié)構(gòu)上方;
一源極/漏極結(jié)構(gòu),位于該鰭結(jié)構(gòu)中,并與該柵極結(jié)構(gòu)相鄰;
一第一接觸插塞,位于該源極/漏極結(jié)構(gòu)上方;以及
一第一通孔插塞,位于該第一接觸插塞上方,其中該第一通孔插塞包括一第一組IV元素。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的





