[發明專利]復合半導體襯底、半導體裝置及其制造方法在審
| 申請號： | 201811241036.3 | 申請日： | 2018-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN110323229A | 公開（公告）日： | 2019-10-11 |
| 發明（設計）人： | 蔡敏瑛;吳政達;鄭有宏;杜友倫 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12;H01L29/10;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 蔣林清 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧摻雜 襯底 結晶半導體層 復合半導體 絕緣層 半導體裝置 半導體 結晶半導體材料 制造 | ||
1.一種復合半導體襯底，其包括：
半導體襯底；
氧摻雜結晶半導體層，其在所述半導體襯底上方，其中所述氧摻雜結晶半導體層包含結晶半導體材料及多種氧摻雜劑；及
絕緣層，其在所述氧摻雜結晶半導體層上方。
2.根據權利要求1所述的復合半導體襯底，其中所述結晶半導體材料包括多晶硅。
3.根據權利要求1所述的復合半導體襯底，其中所述絕緣層包括埋藏氧化物層。
4.根據權利要求1所述的復合半導體襯底，其進一步包括所述絕緣層上方的有源層。
5.根據權利要求1所述的復合半導體襯底，其中所述結晶半導體材料的裸片尺寸小于或等于0.1微米。
6.根據權利要求5所述的復合半導體襯底，其中所述結晶半導體材料的所述裸片尺寸大體上在0.03微米到0.1微米的范圍內。
7.根據權利要求1所述的復合半導體襯底，其中所述結晶半導體材料的厚度小于或等于2.5微米。
8.根據權利要求1所述的復合半導體襯底，其中所述氧摻雜劑的量與所述結晶半導體材料的量的比率在約0.05到約0.1的范圍內。
9.一種半導體裝置，其包括：
復合半導體襯底，其包括：
半導體襯底；
富阱層，其在所述半導體襯底上方，所述富阱層包括：
結晶材料；及
多種氧摻雜劑，其在所述結晶材料中；
絕緣層，其在所述富阱層上方；及
半導體組件，其在所述復合半導體襯底上方。
10.一種用于制造復合半導體襯底的方法，其包括：
接納半導體襯底；
在所述半導體襯底上方形成包括結晶材料的富阱層；
在所述結晶材料中形成多種氧摻雜劑；及
在所述富阱層上方形成絕緣層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
