[發(fā)明專利]基片處理裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811240941.7 | 申請日： | 2018-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN109698146A | 公開（公告）日： | 2019-04-30 |
| 發(fā)明（設計）人： | 田中幸二;池田貴志;益富裕之 | 申請（專利權）人： | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產(chǎn)權代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 處理液供給 噴嘴 基片處理裝置 基片處理 處理液 調壓板 蝕刻 劃分區(qū)域 排出口 噴嘴排 排出 流通 | ||
1.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：
基片處理槽；
處理液供給噴嘴，其設置在所述基片處理槽內的下方，從多個排出口排出處理液；和
調壓板，其設置在所述處理液供給噴嘴與所述基片處理槽內的基片之間，具有使所述處理液流通的多個孔，調節(jié)從所述處理液供給噴嘴排出的所述處理液的流入壓力，
所述調壓板具有從所述處理液供給噴嘴側的面突出的將所述處理液供給噴嘴側的面劃分為多個劃分區(qū)域的棱。
2.如權利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：
所述調壓板具有形成為格子狀的所述棱。
3.如權利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于：
所述多個劃分區(qū)域中，一部分劃分區(qū)域的面積與其他劃分區(qū)域的面積不同。
4.如權利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于：
所述多個劃分區(qū)域的面積各自不同。
5.如權利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于：
所述多個劃分區(qū)域中，所述基片處理槽的側壁側的劃分區(qū)域的面積小于其他劃分區(qū)域的面積。
6.如權利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于：
所述調壓板中，在所述處理液供給噴嘴側的孔的端部設有倒角部。
7.如權利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于：
包括整流板，其設置在所述調壓板與所述基片之間，具有縫隙，對去往所述基片的所述處理液的液流進行整流。
8.如權利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于：
包括氣泡產(chǎn)生部，其在向所述處理液供給噴嘴供給所述處理液的處理液供給路徑中產(chǎn)生氣泡。
9.如權利要求8所述的基片處理裝置，其特征在于：
所述氣泡產(chǎn)生部包括調節(jié)所述氣泡的直徑的調節(jié)部。
10.如權利要求9所述的基片處理裝置，其特征在于：
所述調節(jié)部改變流路面積。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
