[發明專利]半導體裝置及其制造方法在審
| 申請號： | 201811240917.3 | 申請日： | 2018-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN109727959A | 公開（公告）日： | 2019-05-07 |
| 發明（設計）人： | 淺井林太郎 | 申請（專利權）人： | 豐田自動車株式會社 |
| 主分類號： | H01L25/07 | 分類號： | H01L25/07;H01L23/52 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 李今子 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 絕緣基板 金屬層 連接器 半導體元件 半導體裝置 絕緣層 接合 電連接 制造 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置，具備：
第1半導體元件以及第2半導體元件；
第1絕緣基板，具有在絕緣層的兩面分別設置有金屬層的構造，一方的金屬層連接于所述第1半導體元件；以及
第2絕緣基板，具有在絕緣層的兩面分別設置有金屬層的構造，一方的金屬層連接于所述第2半導體元件，
所述第1絕緣基板的所述一方的金屬層經由連接器電連接于所述第2絕緣基板的所述一方的金屬層，
所述連接器由與所述第1絕緣基板以及所述第2絕緣基板分開的部件構成，
所述連接器的一端接合于所述第1絕緣基板的所述一方的金屬層，所述連接器的另一端接合于所述第2絕緣基板的所述一方的金屬層。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
在所述第1絕緣基板和所述第2絕緣基板中的至少一方，在所述一方的金屬層形成有凹部，所述連接器的所述一端或者所述另一端連接于所述凹部。
3.根據權利要求1或者2所述的半導體裝置，其中，
所述第1絕緣基板的所述一方的金屬層的至少一部分與所述第2絕緣基板的所述一方的金屬層的至少一部分對置。
4.一種制造方法，是權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述制造方法具備：
分別準備所述第1絕緣基板、所述第2絕緣基板以及所述連接器的工序；以及
將所述連接器的所述一端接合于所述第1絕緣基板的所述一方的金屬層，并且將所述連接器的所述另一端接合于所述第2絕緣基板的所述一方的金屬層的工序。
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