[發明專利]銀合金靶材、薄膜及其制備方法

在審

• 申請號: 201811240415.0
• 申請日: 2018-10-24
• 公開（公告）號: CN109306414A
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發明（設計）人: 許冰文;陳支勇;國星;黃嵚甫
• 申請（專利權）人: 吉晟光電(深圳)有限公司
• 主分類號: C22C5/06
• 分類號: C22C5/06;C23C14/22;C23C14/14;C23C14/02
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

1.銀合金靶濺射靶材，其特征在于：銀合金構成為Ag_xIn_yM_zQ_n,其中銦的比例8％≤y≤40％(原子比)，M為錫、金、鉑、鈀、鈮、銠、釕中的至少一種元素，0≤z≤8％(原子比)，且銀的含量x≥60％(原子比)。

2.根據權利要求1所述的銀合金靶濺射靶材，其特征在于，所述的構成為Ag_xIn_yM_zQ_n的銀合金中的Q為稀土元素鑭La、鈰Ce、鐠Pr、釹Nd、钷Pm、釤Sm、銪Eu、釓Gd、鋱Tb、鏑Dy、鈥Ho、鉺Er、銩Tm、鐿Yb、镥Lu、釔Y和鈧Sc中的至少一種元素，且0≤n≤3％(原子比)。

3.銀合金濺射靶材的制造方法，對熔煉鑄造鑄錠，依次實施熱軋工序、冷卻工序、冷軋工序、熱處理工序、機械加工工序而制造銀合金濺射靶，所述熔煉鑄造鑄錠具有如下成分組成：含有8～40原子％的銦，還含有0～8原子％的錫、金、鉑、鈀、鈮、銠、釕，及0～3原子％的稀土元素中的至少一種元素，且銀的含量不小于60原子％。

4.根據權利要求書3所述的銀合金濺射靶材的制造方法，其特征在于：含有合計8～20原子％的銦時，銦是固溶于銀的元素。

5.根據權利要求書3-4任意一項所述的銀合金濺射靶材的制造方法，其特征在于：含有合計20～40原子％的銦時，20原子％的銦是固溶于銀的元素，20～40原子％的銦是以Ag3In和Ag2In的形式存在于靶材中。

6.銀合金薄膜，其特征在于，使用權利要求1-5任意一項所述的銀合金形成的。

7.銀合金薄膜的制備方法，其特征在于：包括鍍制，所述鍍制為磁控濺射鍍，離子濺射鍍、真空蒸鍍及電子束蒸發中的一種即可。

8.根據權利要求書7任意一項所述的銀合金薄膜的制備方法，其特征在于：在玻璃為基片，以二氧化硅、二氧化鈦、鎳、鉻、氧化鋅、三氧化二鋁、鈦或鋁的一種或者多種疊層作為銀合金薄膜與基片的過渡層，其厚度范圍為5～50nm。

9.根據權利要求書7所述的銀合金薄膜的制備方法，其特征在于：所述銀合金薄膜的厚度為10～200nm。

10.根據權利要求書7所述的銀合金薄膜的制備方法，其特征在于：所述銀合金薄膜為導電性及耐腐蝕性良好的反射膜或半透反射膜。