[發明專利]一種U型光纖探頭制備方法在審
| 申請號: | 201811240100.6 | 申請日: | 2018-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN109455955A | 公開(公告)日: | 2019-03-12 |
| 發明(設計)人: | 劉婷;王文琪;劉志群;易定容 | 申請(專利權)人: | 華僑大學 |
| 主分類號: | C03C25/68 | 分類號: | C03C25/68;C03C25/66 |
| 代理公司: | 廈門市首創君合專利事務所有限公司 35204 | 代理人: | 張松亭;張迪 |
| 地址: | 362000 福建省*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光纖 浸入 光纖探頭 去離子水 腐蝕液 底端 清洗 取出 并用 涂覆層 包層 制備 二次涂覆層 一次涂覆層 光纖兩端 制作工藝 可控 支架 腐蝕 應用 | ||
本發明提供了一種U型光纖探頭制備方法,包括以下步驟:步驟一,將光纖兩端固定在支架上形成U型光纖;步驟二,將U型光纖的底端浸入一次涂覆層腐蝕液中,待所述U型光纖上的涂覆層剝落后,將所述U型光纖取出,并用去離子水清洗U型光纖;步驟三,將經過步驟二處理后的U型光纖的底端浸入包層腐蝕液中,待所述U型光纖上的包層腐蝕后,將所述U型光纖取出,并用去離子水清洗U型光纖;步驟四,將經過步驟三處理后的U型光纖的底端浸入二次涂覆層腐蝕液中,待所述U型光纖上的涂覆層剝落后,將U型光纖取出,并用去離子水清洗,即得到U型光纖探頭。應用本技術方案可實現U型光纖的制作工藝簡單,且實現U型光纖的各種參數可控。
技術領域
本發明涉及光纖傳感技術領域,具體是指一種U型光纖探頭制備方法。
背景技術
U型光纖探頭具有結構緊湊、傳輸效率高、可分布式檢測等優點,可應用于表面等離子體共振、熒光、拉曼等光纖傳感器中,在生物醫學、臨床診斷、環境監測、食品安全等領域有著廣闊的應用前景。
目前,U型光纖探頭的制備方法主要有兩種:一種是先用鋒利的刀片去除涂覆層和包層,然后采用火焰加熱定型;另一種是直接采用火焰加熱法拉制制備。兩者均可獲得不同彎曲半徑的U型光纖探頭,但前者要求光纖的涂覆層和包層與纖芯連接不緊密,后者需要特殊的火焰,且對實驗者操作技術有一定要求。這兩種制備方法均具有制作難度高,成本高,且一次只能制備一根探針,重復性差的缺點。鑒于上述現有技術的不足,發明人在國家自然科學基金項目(61505057)及華僑大學中青年教師科研提升資助計劃(ZQN-PY603)的資助下,發明了這項技術。
發明內容
本發明的目的在于克服上述現有技術中的不足,提供一種U型光纖探頭制備方法,實現U型光纖的制作工藝簡單,且實現U型光纖的各種參數可控。
為了解決上述技術問題,本發明提供了一種U型光纖探頭制備方法,包括以下步驟:
步驟一,將光纖兩端固定在支架上形成U型光纖,所述U型光纖上有涂覆層及包層;
步驟二,配制濃硫酸和雙氧水的混合溶液作為一次涂覆層腐蝕液,將U型光纖的底端浸入所述一次涂覆層腐蝕液中,待所述U型光纖上的涂覆層剝落后,將所述U型光纖從一次涂覆層腐蝕液中取出,并用去離子水清洗U型光纖;
步驟三,配制氫氟酸溶液作為包層腐蝕液,將經過步驟二處理后的U型光纖的底端浸入所述包層腐蝕液中,待所述U型光纖上的包層腐蝕后,將所述U型光纖從包層腐蝕液中取出,并用去離子水清洗U型光纖;
步驟四,配制濃硫酸和雙氧水的混合溶液作為二次涂覆層腐蝕液,將經過步驟三處理后的U型光纖的底端浸入所述二次涂覆層腐蝕液中,待所述U型光纖上的涂覆層剝落后,將所述U型光纖從二次涂覆層腐蝕液中取出,并用去離子水清洗,即得到U型光纖探頭。
在一較佳的實施例中:所述U型光纖的底端依次浸入一次涂覆層腐蝕液、包層腐蝕液、二次涂覆層腐蝕液中的高度依次遞增。
在一較佳的實施例中:通過改變U型光纖的底端浸入一次涂覆層腐蝕液的高度來調節U型光纖的傳感區長度。
在一較佳的實施例中:通過改變所述包層腐蝕液的濃度、腐蝕時間和溫度來調節U型光纖的傳感區直徑。
在一較佳的實施例中:所述光纖為單模光纖或多模光纖或特種石英光纖中的一種。
在一較佳的實施例中:所述一次涂覆層腐蝕液及二次涂覆層腐蝕液中的濃硫酸和雙氧水的體積比范圍為1:1至3:1。
相較于現有技術,本發明的技術方案具備以下有益效果:
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