[發(fā)明專利]一種阻變存儲器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811239365.4 | 申請日： | 2018-10-23 |
| 公開（公告）號： | CN109585648B | 公開（公告）日： | 2023-01-17 |
| 發(fā)明（設計）人： | 盧年端;馬尚;李泠;耿玓;劉琦;劉明 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H10B63/00 | 分類號： | H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京華沛德權律師事務所 11302 | 代理人： | 房德權 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 存儲器 | ||
1.一種阻變存儲器，其特征在于，所述阻變存儲器包括：
第一電極層；
阻變層，位于所述第一電極層的下方；
第一中間層，位于所述阻變層的下方，所述第一中間層的遷移率小于1cm2/Vs；所述第一中間層的材料包括：氮化硼B(yǎng)N、有機半導體及Si3N4中的任意一種，所述第一中間層的厚度為5～10nm；
第二中間層，位于所述第一中間層的下方，所述第二中間層的材料包括二維材料；
第二電極層，位于所述第二中間層的下方。
2.如權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述第一中間層的厚度為2～10nm。
3.如權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述二維材料具體包括：石墨烯或二硫化鉬MoS2。
4.如權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述第一電極層的材料具體包括：金Au或鉑Pt。
5.如權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述阻變層的材料包括：氧化鉿HfO2、氧化鎢WO3及氧化鉭Ta2O5中的任意一種。
6.如權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述第二電極層的材料包括銅Cu或銀Ag。
7.如權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述第一電極層的厚度為50～100nm。
8.如權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述阻變層的厚度包括4～20nm。
9.如權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述二維材料為單層材料。
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