[發明專利]一種積木式平板PECVD鍍膜系統

在審

• 申請號: 201811239277.4
• 申請日: 2018-10-23
• 公開（公告）號: CN109207966A
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發明（設計）人: 何振杰
• 申請（專利權）人: 杭州海萊德智能科技有限公司
• 主分類號: C23C16/513
• 分類號: C23C16/513;C23C16/52;C23C16/46
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種積木式平板PECVD鍍膜系統，其特征在于，包括載板、真空與常壓切換模塊、高低速過渡模塊、工藝模塊和自動化升降模塊，所述真空與常壓切換模塊、高低速過渡模塊、工藝模塊和自動化升降模塊之間通過隔離裝置連接。

2.如權利要求1所述的積木式平板PECVD鍍膜系統，其特征在于，所述隔離裝置為隔離閥或者連接板。

3.如權利要求2所述的積木式平板PECVD鍍膜系統，其特征在于，所述真空與常壓切換模塊包括第一腔體、第一加熱裝置、真空裝置、充氣裝置、第一上層傳動機構和第一下層傳動機構；

所述第一腔體用以形成一個對所述載板上的硅片進行加工的第一加工空間；

所述第一加熱裝置設置在第一蓋板內并與所述第一蓋板相配合用以對所述載板上的硅片進行加熱；

所述真空裝置通過第一真空管路用以對所述第一腔體進行抽氣，以使得所述第一腔體形成第一真空空間；

所述充氣裝置通過第一充氣管路用以對所述第一腔體進行充氣，以使得所述第一腔體形成第一常壓空間；

所述第一上層傳動機構設置在所述第一腔體的上部，用以將所述載板在所述第一腔體的上部進行水平穿送；

所述第一下層傳動機構設置在所述第一腔體的下部，用以將所述載板在所述第一腔體的下部進行水平穿送。

4.如權利要求3所述的積木式平板PECVD鍍膜系統，其特征在于，所述高低速過渡模塊包括電氣控制裝置、第二腔體、第二加熱裝置、第二上層傳動機構和第二下層傳動機構；

所述電氣控制裝置用以對所述高低速過渡模塊進行自動控制；

所述第二腔體用以形成一個對所述載板上的硅片進行加工的第二加工空間；

所述第二加熱裝置設置在第二蓋板內并與所述第二蓋板相配合用以對所述載板上的硅片進行加熱；

所述第二上層傳動機構設置在所述第二腔體的上部，用以將所述載板在所述第二腔體的上部進行水平穿送；

所述第二下層傳動機構設置在所述第二腔體的下部，用以將所述載板在所述第二腔體的下部進行水平穿送。

5.如權利要求4所述的積木式平板PECVD鍍膜系統，其特征在于，所述工藝模塊包括第三腔體、第三加熱裝置、第三上層傳動機構、第三下層傳動機構、真空系統、送氣系統、微波傳輸系統和氣路控制裝置；

所述第三腔體用以形成一個對所述載板上的硅片進行加工的第三加工空間；

所述第三加熱裝置設置在第三蓋板內并與所述第三蓋板相配合用以對所述載板上的硅片進行加熱；

所述第三上層傳動機構設置在所述第三腔體的上部，用以將所述載板在所述第三腔體的上部進行水平穿送；

所述第三下層傳動機構設置在所述第三腔體的下部，用以將所述載板在所述第三腔體的下部進行水平穿送；

所述真空系統通過第二真空管路用以對所述第三腔體進行抽氣，以使得所述第三腔體形成第二真空空間；

所述送氣系統通過送氣管路用以對所述第一腔體進行送氣，以供所述第三腔體內的所述載板上的硅片生長；

所述微波傳輸系統用以將微波能量傳送至所述第三腔體，激發所述送氣系統送入的氣體成等離子形態，以在硅片表面形成功能薄膜材料；

氣路控制裝置，用以提供所述送氣系統所需的氣體，并進行精確控制。

6.如權利要求5所述的積木式平板PECVD鍍膜系統，其特征在于，所述第二真空管路上還設置有蝶閥，所述蝶閥用以調節所述第二真空管路的通徑大小，以調節控制所述第三加工空間的壓力大小。

7.如權利要求6所述的積木式平板PECVD鍍膜系統，其特征在于，所述第二真空管路上還設置有插板閥，所述插板閥用以截斷所述第二真空管路，以使得所述第三加工空間與所述真空系統隔離。

8.如權利要求7所述的積木式平板PECVD鍍膜系統，其特征在于，所述自動化升降模塊包括升降運動機構和水平運動機構，所述升降運動機構設置有升降滑軌和升降動力裝置，所述水平運動機構通過水平連接件與所述升降滑軌連接，所述升降動力裝置帶動所述水平運動機構沿著所述升降滑軌上下滑動。