[發明專利]一種制備VO2 在審
| 申請號： | 201811238298.4 | 申請日： | 2018-10-23 |
| 公開（公告）號： | CN111088477A | 公開（公告）日： | 2020-05-01 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 南通安廣美術圖案設計有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/08 | 分類號： | C23C14/08;C23C14/24;C23C14/02 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 226100 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 vo base sub | ||
1.一種制備VO2薄膜的方法，其特征在于包括如下步驟：利用超聲波清洗儀對Al2O3基底表面進行去離子水清洗25-35min，再先后用丙酮溶液和無水乙醇清洗20-30min，最后取出用吹風機吹干；將清洗好的Al2O3單晶襯底傳送至高真空生長室，抽真空使本底壓強優于1×10-6Pa，旋轉襯底，并將襯底加熱到610-630℃，在10-20份金屬釩粉體被加熱至蒸發狀態后，打開氣體活化源并通入氧氣，將釩原子束和活性氧原子束噴射到襯底上進行反應，觀察晶振膜厚儀數字變化，控制釩原子束流速度在1.2-1.4nm/min，利用氣體流量計控制氧原子束流速度在3.8-4.2cm3/min，薄膜生長時間為34-36min，薄膜沉積完成后，為防止剩余氧氣繼續氧化VO2薄膜，通入保護氣體N2，使真空室溫度自然冷卻到150℃以下，取出即得；各原料均為重量份。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：利用超聲波清洗儀對Al2O3基底表面進行去離子水清洗30min。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：先后用丙酮溶液和無水乙醇清洗25min。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：將襯底加熱到620℃。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：控制釩原子束流速度在1.3nm/min。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：利用氣體流量計控制氧原子束流速度在4.0cm3/min。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：薄膜生長時間為35min。
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