[發(fā)明專利]積體電路在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811236737.8 | 申請(qǐng)日: | 2018-10-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109698689A | 公開(公告)日: | 2019-04-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳建宏;陳昆龍;劉賜斌 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H03K19/0185 | 分類號(hào): | H03K19/0185;H03K19/0944 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人: | 康艷青;姚開麗 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹科*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 積體電路 電荷泵電路 過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓 驅(qū)動(dòng)電路 自舉電路 第一級(jí) 驅(qū)動(dòng)電路配置 升壓 動(dòng)態(tài)電壓 耦合 耦合到 配置 | ||
本發(fā)明的實(shí)施例提供用于一種積體電路。積體電路包含具有第一級(jí)和第二級(jí)的驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路配置成提供過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓。積體電路還包含耦合在第一級(jí)與第二級(jí)之間的電荷泵電路。電荷泵電路配置成產(chǎn)生大于過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓的動(dòng)態(tài)電壓。積體電路還包含耦合到電荷泵電路的自舉電路,自舉電路配置成進(jìn)一步對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行動(dòng)態(tài)升壓。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開的實(shí)施例中所描述的技術(shù)大體上涉及電子元件,且更具體地說(shuō),涉及高側(cè)積體驅(qū)動(dòng)電路。
背景技術(shù)
通過(guò)氮化鎵(Gallium Nitride;GaN)高電子遷移率電晶體(High ElectronMobility Transistors;HEMT)來(lái)實(shí)施的高側(cè)積體驅(qū)動(dòng)電路允許各種電路的高功率吞吐量。HEMT具有包含離散功率電晶體的驅(qū)動(dòng)操作的各種應(yīng)用。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種積體電路,包括:驅(qū)動(dòng)電路,具有第一級(jí)以及第二級(jí),所述驅(qū)動(dòng)電路配置成提供過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓;電荷泵電路,耦合在所述第一級(jí)與所述第二級(jí)之間,配置成產(chǎn)生大于所述過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓的動(dòng)態(tài)電壓;以及自舉電路,耦合到所述電荷泵電路,配置成增大所述驅(qū)動(dòng)電路的所述過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓。
附圖說(shuō)明
結(jié)合附圖閱讀以下具體實(shí)施方式會(huì)最好地理解本公開的各方面。應(yīng)注意,根據(jù)業(yè)界中的標(biāo)準(zhǔn)慣例,各種特征未按比例繪制。實(shí)際上,為了論述清晰起見,可任意增大或減小各種特征的尺寸。
圖1是根據(jù)本公開的各種實(shí)施例的第一示例性半導(dǎo)體元件的示意圖。
圖2是根據(jù)本公開的各種實(shí)施例的第二示例性半導(dǎo)體元件的示意圖。
圖3是根據(jù)本公開的各種實(shí)施例的第三示例性半導(dǎo)體元件的另一示意圖。
圖4是根據(jù)本公開的各種實(shí)施例的電荷泵電路的示意圖。
圖5是根據(jù)本公開的各種實(shí)施例的圖4的電壓倍增器的示意圖。
圖6是示出根據(jù)本公開的各種實(shí)施例的圖4的環(huán)形振蕩器的輸出處的時(shí)鐘發(fā)生器的示意電路圖。
圖7是示出根據(jù)本公開的各種實(shí)施例的圖4的環(huán)形振蕩器的示意電路圖。
圖8是根據(jù)本公開的各種實(shí)施例的第四示例性半導(dǎo)體元件的另一示意圖。
圖9是根據(jù)本公開的各種實(shí)施例的第五示例性半導(dǎo)體元件的另一示意圖。
圖10是根據(jù)本公開的各種實(shí)施例的第六示例性半導(dǎo)體元件的另一示意圖。
圖11是根據(jù)本公開的各種實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)功率電晶體的第一示例性方法的流程圖。
附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明
100、200、300、900、1000:半導(dǎo)體元件;
110:源極電壓引腳;
120a、120b:高側(cè)參考電壓引腳;
130:輸入電壓引腳;
140:高電壓電源引腳;
150、160:自舉電路;
150a:自舉電壓引腳;
170:驅(qū)動(dòng)電路;
170a~170d、310、510、520、530、540、550、610a~610c、620a~620c、640、750、870a~870c:級(jí);
180、1080:電荷泵電路;
180a:電荷泵電壓引腳;
190:自舉電容器;
195:功率電晶體;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司,未經(jīng)臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811236737.8/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:反相器
- 下一篇:基于三維縱向可寫存儲(chǔ)陣列的可編程門陣列





